铅-自由
有
非 (源
1
)
COM
nc (源
2
)
1
2
3
6
5
顶 视图
在
V+
地
4
sc-89
管脚 1
Ax
设备 标记: ax
x = 日期/lot traceability 代号
DG2011
vishay siliconix
文档 号码: 70102
s-50509—rev.e, 21-三月-05
www.vishay.com
1
低-电压, 低 r
在
, 单独的 spdt 相似物 转变
在 sc-89 包装
特性
低 电压 运作
(1.8 v 至 5.5 v)
低 在-阻抗 - r
在
:
1.8
@ 2.7 v
低 承担 injection
低 电压 逻辑 兼容
sc-89 包装 (1.6 x 1.6 mm)
益处
减少 电源 消耗量
简单的 逻辑 接口
高 精度
减少 板 空间
有保证的 2-v 运作
产品
cellular phones
交流 系统
可携带的 测试 设备
电池 运作 系统
样本 和 支撑 电路
模数转换器 和 dac 产品
低 电压 数据 acquisition
系统
描述
这 dg2011 是一个 低 在-阻抗,单独的-柱子/翻倍-throw
大而单一的 cmos 相似物 转变. 它 是 设计 为 低 电压
产品 和 有保证的 运作 在 2 v. 这 dg2011 是
完美的 为 可携带的 和 电池 powered 设备, 需要
高 效能 和 效率高的 使用 的 板 空间. 在
额外的 至 这 低 在-阻抗 (1.8
Ω
@ 2.7 v), 承担
injection 是 较少 比 10 pc 在 这 全部 相似物 范围.
这 转变 conducts equally 好 在 两个都 方向 当 在,
和 blocks 向上 至 这 电源 供应 水平的 当 止.
这 dg2011 是 建造 在 vishay siliconix’s 低 电压 ji2
处理. 一个 外延的 layer 阻止 latchup.
破裂-在之前-制造 是 有保证的.
这 dg2011 代表 一个 breakthrough 在 包装
开发 为 相似物 切换 产品. 这 sc-89
包装 (1.6 x 1.6 mm
2
) – 也 know 作 sot-666 在 这
工业 –减少 板 间隔 用 大概 40% 当
获得 效能 comparable 至 sc-70 相似物 转变
设备 有 today.
作 一个 committed partner 至 这 community 和 这 环境,
vishay siliconix manufactures 这个 产品 和 这
含铅的 (铅)-自由 设备 terminations. 为 相似物 切换
产品 制造的 和 100% 表面粗糙的 tin 设备
terminations,这 含铅的 (铅)-自由 “—e3” 后缀 是 正在 使用 作
一个 designator.
函数的块 图解 和 管脚 配置
真实 表格
逻辑 NC 非
0 在 止
1 止 在
商业的 订货信息
温度 范围 包装 部分 号码
sc-89 (sot-666)
和 录音带 和 卷轴
dg2011dx-t1
-40 至 85
°
C
sc-89 (sot-666)
含铅的 (铅)-自由
和 录音带 和 卷轴
dg2011dx-t1—e3
: 点此下载
