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资料编号:979802
 
资料名称:DTC144EET1
 
文件大小: 102K
   
说明
 
介绍:
Bias Resistor Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
dtc114eet1 序列
http://onsemi.com
2
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗,
fr–4 板
(1.)
@ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
200
1.6
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
(1.)
R
θ
JA
600
°
c/w
总的 设备 消耗,
fr–4 板
(2.)
@ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
300
2.4
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
(2.)
R
θ
JA
400
°
c/w
接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 +150
°
C
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
collector–base 截止 电流 (v
CB
= 50 v, i
E
= 0) I
CBO
100 nAdc
collector–emitter 截止 电流 (v
CE
= 50 v, i
B
= 0) I
CEO
500 nAdc
emitter–base 截止 电流 DTC114EET1
(v
EB
= 6.0 v, i
C
= 0) DTC124EET1
DTC144EET1
DTC114YET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
I
EBO
0.5
0.2
0.1
0.2
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
mAdc
collector–base 损坏 电压 (i
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0) V
(br)cbo
50 Vdc
collector–emitter 损坏 电压
(3.)
(i
C
= 2.0 毫安, i
B
= 0) V
(br)ceo
50 Vdc
在 特性
(3.)
直流 电流 增益 DTC114EET1
(v
CE
= 10 v, i
C
= 5.0 毫安) DTC124EET1
DTC144EET1
DTC114YET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
h
FE
35
60
80
80
160
8.0
15
80
80
80
60
100
140
140
350
15
30
200
150
140
collector–emitter 饱和 电压 (i
C
= 10 毫安, i
B
= 0.3 毫安)
(i
C
= 10 毫安, i
B
= 5 毫安) dtc123eet1
(i
C
= 10 毫安, i
B
= 1 毫安) dtc143tet1
dtc143zet1/dtc124xet1
V
ce(sat)
0.25 Vdc
输出 电压 (在)
(v
CC
= 5.0 v, v
B
= 2.5 v, r
L
= 1.0 k
) DTC114EET1
DTC124EET1
DTC114YET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
(v
CC
= 5.0 v, v
B
= 3.5 v, r
L
= 1.0 k
) DTC144EET1
V
OL
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
Vdc
1. fr–4 @ 最小 垫子
2. fr–4 @ 1.0
×
1.0 inch 垫子
3. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%
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