©2004 仙童 半导体 公司 fdb8896 rev. b1
FDB8896
电的 特性
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
止 特性
在 特性
动态 特性
切换 特性
(v
GS
= 10v)
流-源 二极管 特性
注释:
1:
包装 电流 限制 是 80a.
2:
开始 t
J
= 25
°
c, l = 36
µ
h, i
作
= 64a, v
DD
= 27v, v
GS
= 10v.
3:
脉冲波 宽度 = 100s.
4:
fdb8896_nl 是 含铅的 自由 产品. fdb8896_nl 标记 将 呈现 在 这 卷轴 label.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
B
VDSS
流 至 源 损坏 电压 I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v 30 - - V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 24v - - 1
µ
一个
V
GS
= 0v T
C
= 150
o
C - - 250
I
GSS
门 至 源 泄漏 电流 V
GS
=
±
20V - -
±
100 nA
V
gs(th)
门 至 源 门槛 电压 V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个 1.2 - 2.5 V
r
ds(在)
流 至 源 在 阻抗
I
D
= 35a, v
GS
= 10v - 0.0049 0.0057
Ω
I
D
= 35a, v
GS
= 4.5v - 0.0059 0.0068
I
D
= 35a, v
GS
= 10v,
T
J
= 175
o
C
- 0.0078 0.0094
C
ISS
输入 电容
V
DS
= 15v, v
GS
= 0v,
f = 1mhz
- 2525 - pF
C
OSS
输出 电容 - 490 - pF
C
RSS
反转 转移 电容 - 300 - pF
R
G
门 阻抗 V
GS
= 0.5v, f = 1mhz - 2.3 -
Ω
Q
g(tot)
总的 门 承担 在 10v V
GS
= 0v 至 10v
V
DD
= 15v
I
D
= 35a
I
g
= 1.0ma
-4867nc
Q
g(5)
总的 门 承担 在 5v V
GS
= 0v 至 5v - 25 36 nC
Q
g(th)
门槛 门 承担 V
GS
= 0v 至 1v - 2.3 3.0 nC
Q
gs
门 至 源 门 承担 - 8 - nC
Q
gs2
门 承担 门槛 至 plateau - 5.7 - nC
Q
gd
门 至 流
“
Miller
”
承担 - 9.5 - nC
t
在
Tur n-O n Tim e
V
DD
= 15v, i
D
= 35a
V
GS
= 4.5v, r
GS
= 6.2
Ω
- - 167 ns
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 - 9 - ns
t
r
上升 时间 - 102 - ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 58 - ns
t
f
下降 时间 - 44 - ns
t
止
转变-止 时间 - - 153 ns
V
SD
源 至 流 二极管 电压
I
SD
= 35a - - 1.25 V
I
SD
= 20a - - 1.0 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
SD
= 35a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s- -27ns
Q
RR
反转 recovered 承担 I
SD
= 35a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s- -12nC
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