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资料编号:981748
 
资料名称:FDB8896
 
文件大小: 269K
   
说明
 
介绍:
N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 93A, 5.7 m ohm
 
 


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©2004 仙童 半导体 公司 fdb8896 rev. b1
FDB8896
典型 特性
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
图示 1. normalized 电源 消耗 vs 情况
温度
图示 2. 最大 持续的 流 电流 vs
情况 温度
图示 3. normalized 最大 瞬时 热的 阻抗
图示 4. 顶峰 电流 能力
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
电源 消耗 乘法器
0
0 25 50 75 100 175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
0
20
40
60
80
100
25 50 75 100 125 150
175
I
D
, 流 电流 (一个)
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
电流 限制
用 包装
V
GS
= 4.5v
V
GS
= 10v
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
2
t, rectangular 脉冲波 持续时间 (s)
Z
θ
JC
, normalized
热的 阻抗
注释:
职责 因素: d = t
1
/t
2
顶峰 t
J
= p
DM
x z
θ
JC
x r
θ
JC
+ t
C
P
DM
t
1
t
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
职责 循环 - descending 顺序
单独的 脉冲波
100
1000
50
I
DM
, 顶峰 电流 (一个)
t, 脉冲波 宽度 (s)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
T
C
= 25
o
C
i = i
25
175 - t
C
150
为 温度
在之上 25
o
c 减额 顶峰
电流 作 跟随:
跨导
将 限制 电流
在 这个 区域
V
GS
= 4.5v
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