6.42
idt7008s/l
高-速 64k x 8 双-端口 静态的 内存 军队, 工业的 和 商业的 温度 范围
7
注释:
1. 'x' 在 部分 号码 indicates 电源 比率 (s 或者 l)
2. V
CC
= 5v, t
一个
= +25
°
c, 和 是 不 生产 测试. i
CCDC
= 120ma (典型值.)
3. 在 f = f
最大值
,
地址 和 控制 线条 (除了 输出 使能) 是 cycling 在 这 最大 频率 读 循环 的 1/ t
rc,
和 使用
“
交流 测试 情况
”
的 输入
水平 的 地 至 3v.
4. f = 0 意思 非 地址 或者 控制 线条 改变.
5. 端口 "一个" 将 是 也 left 或者 正确的 端口. 端口 "b" 是 这 opposite 从 端口 "a".
6. 谈及 至 碎片 使能 真实 表格.
7. 工业的 温度: 为 其它 speeds, 包装 和 powers 联系 your 销售 办公室.
7008X20
com'l 仅有的
7008X25
com'l &放大;
军队
标识 参数 测试 condition 版本 典型值
(2)
最大值 典型值
(2)
最大值 单位
I
CC
动态 ope比率
Current
(both ports一个ctive)
CE
= v
IL
, 输出 无能
SEM
= v
IH
f = f
最大值
(3)
com'l S
L
190
180
325
285
180
170
305
265
毫安
mil &放大;
IND
S
L
___
___
___
___
170
170
345
305
I
SB1
备用物品 电流
(两个都 端口 - ttl 水平的
Inp uts)
CE
L
=
CE
R
= v
IH
SEM
R
=
SEM
L
= v
IH
f = f
最大值
(3)
com'l S
L
50
50
90
70
40
40
85
60
毫安
mil &放大;
IND
S
L
___
___
___
___
40
40
100
80
I
SB2
备用物品 电流
(在e端口 - ttl level
Inp uts)
CE
"一个"
= v
IL
和
CE
"b"
= v
IH
(5)
起作用的 端口 输出 无能,
f=f
最大值
(3)
SEM
R
=
SEM
L
= v
IH
com'l S
L
115
115
215
185
105
105
200
170
毫安
mil &放大;
IND
S
L
___
___
___
___
105
105
230
200
I
SB3
全部 standby current
(both ports- 一个ll cmos
Level 输入)
两个都 端口
CE
L
和
CE
R
> v
CC
- 0.2v
V
在
> v
CC
- 0.2v 或者
V
在
<0.2v,f = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
> v
CC
- 0.2v
com'l S
L
1.0
0.2
15
5
1.0
0.2
15
5
毫安
mil &放大;
IND
S
L
___
___
___
___
1.0
0.2
30
10
I
SB4
全部 standby current
(在e端口 - 一个ll cmos
Level 输入)
CE
"一个"
<0.2v 和
CE
"b"
> v
CC
- 0.2v
(5)
SEM
R
=
SEM
L
> v
CC
- 0.2v
V
在
> v
CC
- 0.2v 或者 v
在
<0.2v
一个c德州仪器vePo rt outputsDisab le d
f = f
最大值
(3)
com'l S
L
110
110
190
160
100
100
170
145
毫安
mil &放大;
IND
S
L
___
___
___
___
100
100
200
175
3198 tbl 10a
7008X35
com'l &放大;
军队
7008X55
com'l, ind
&放大; 军队
标识 参数 测试 condition 版本 典型值
(2)
最大值 典型值
(2)
最大值 单位
I
CC
动态 ope比率 电流
(both ports一个ctive)
CE
= v
IL
, 输出 无能
SEM
= v
IH
f = f
最大值
(3)
com'l S
L
160
160
295
255
150
150
270
230
毫安
mil &放大;
IND
S
L
160
160
335
295
150
150
310
270
I
SB1
备用物品 电流
(两个都 端口 - ttl 水平的
Inp uts)
CE
L
=
CE
R
= v
IH
SEM
R
=
SEM
L
= v
IH
com'l S
L
30
30
85
60
20
20
85
60
毫安
mil &放大;
IND
S
L
20
20
100
80
13
13
100
80
I
SB2
备用物品 电流
(在e端口 - ttl level
Inputs)
CE
"一个"
= v
IL
和
CE
"b"
= v
IH
(5)
起作用的 端口 输出 无能,
f=f
最大值
(3)
SEM
R
=
SEM
L
= v
IH
com'l S
L
95
95
185
155
85
85
165
135
毫安
mil &放大;
IND
S
L
95
95
215
185
85
85
195
165
I
SB3
全部 standby current
(both ports- 一个ll cmos
Level 输入)
两个都 端口
CE
L
和
CE
R
> v
CC
- 0.2v
V
在
> v
CC
- 0.2v 或者
V
在
<0.2v,f = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
> v
CC
- 0.2v
com'l S
L
1.0
0.2
15
5
1.0
0.2
15
5
毫安
mil &放大;
IND
S
L
1.0
0.2
30
10
1.0
0.2
30
10
I
SB4
全部 standby current
(在e端口 - 一个ll cmos
Level 输入)
CE
"一个"
<0.2v 和
CE
"b"
> v
CC
- 0.2v
(5)
SEM
R
=
SEM
L
> v
CC
- 0.2v
V
在
> v
CC
- 0.2v 或者 v
在
<0.2v
一个c德州仪器vePo rt outputsDisab le d
f = f
最大值
(3)
com'l S
L
90
90
160
135
80
80
135
110
毫安
mil &放大;
IND
S
L
90
90
190
165
80
80
175
150
3198tbl 10b
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