6.17 6
idt7026s/l
高-速 16k x 16 双-端口 静态的 内存 军队 和 商业的 温度 范围
直流 电的 特性 在 这
运行 温度 和 供应 电压 范围
(1)
(con't.)
(v
CC
= 5.0v
±
10%)
7026X35 7026X55
测试
标识 参数 情况 版本 典型值
(2)
最大值 典型值
(2)
最大值 单位
I
CC
动态 运行
CE
= v
IL
, 输出 打开 mil. S 160 335 150 310 毫安
电流
SEM
= v
IH
L 160 295 150 270
(两个都 端口 起作用的) f = f
最大值
(3)
com’l. S 160 295 150 270
L 160 255 150 230
I
SB1
备用物品 电流
CE
L
=
CE
R
= v
IH
mil. S 20 100 13 100 毫安
(两个都 端口 — ttl
SEM
R
=
SEM
L
= v
IH
L 20801380
水平的 输入) f = f
最大值
(3)
com’l. S 20 85 13 85
L 20601360
I
SB2
备用物品 电流
CE
"一个"
=V
IL
和
CE
"b"
=V
IH
(5)
mil. S 95 215 85 195 毫安
(一个 端口 — ttl 起作用的 端口 输出 打开, L 95 185 85 165
水平的 输入) f = f
最大值
(3)
com’l. S 95 185 85 165
SEM
R
=
SEM
L
= v
IH
L 95 155 85 135
I
SB3
全部 备用物品 电流 两个都 端口
CE
L
和 mil. S 1.0 30 1.0 30 毫安
(两个都 端口 — 所有
CE
R
> v
CC
- 0.2v L 0.2 10 0.2 10
cmos 水平的 输入) V
在
> v
CC
- 0.2v 或者 com’l. S 1.0 15 1.0 15
V
在
< 0.2v, f = 0
(4)
L 0.2 5 0.2 5
SEM
R
=
SEM
L
>v
CC
- 0.2v
I
SB4
全部 备用物品 电流
CE
"一个"
< 0.2v 和 mil. S 90 190 80 175 毫安
(一个 端口 — 所有
CE
"b"
> v
CC
- 0.2v
(5)
L 90 165 80 150
cmos 水平的 输入)
SEM
R
=
SEM
L
>v
CC
- 0.2v
V
在
> v
CC
- 0.2v 或者 com’l. S 90 160 80 135 毫安
V
在
< 0.2v L 90 135 80 110
起作用的 端口 输出 打开,
f = f
最大值
(3)
注释:
2939 tbl 10
1. "x" 在 部分 号码 indicates 电源 比率 (s 或者 l).
2. V
CC
= 5v, t
一个
= +25
°
c, 和 是 不 生产 测试. i
CCDC
= 120ma (典型值.)
3. 在 f = f
最大值
,
地址 和 控制 线条 (除了 输出 使能) 是 cycling 在 这 最大 频率 读 循环 的 1/ trc, 和 使用
“ac 测试 conditions” 的 输入 水平 的 地 至 3v.
4. f = 0 意思 非 地址 或者 控制 线条 改变.
5. 端口 "一个" 将 是 也 left 或者 正确的 端口. 端口 "b" 是 这 opposite 从 端口 "a".
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