6.42
5
idt71v016, 3.3v cmos 静态的 内存
1 meg (64k x 16-位) 商业的 和 工业的 温度 范围
部分 在
OBSOLESCENCE
顺序 71v016sa
为 新 设计
71V016S15 71V016S20
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
读 循环
t
RC
读 循环 time 15
____
20
____
ns
t
AA
地址 进入 time
____
15
____
20 ns
t
ACS
碎片 选择 进入 时间
____
15
____
20 ns
t
CLZ
(1)
碎片 选择 lowto 输出在 低-z 5
____
5
____
ns
t
CHZ
(1)
碎片 选择 高 至 输出 在 高-z
____
6
____
8ns
t
OE
输出 enable 低至 输出 有效的
____
8
____
10 ns
t
OLZ
(1)
输出 使能 low至 输出 在 低-z 0
____
0
____
ns
t
OHZ
(1)
输出 使能 high 至 输出 在 高-z
____
6
____
8ns
t
OH
输出 支撑从地址 改变 4 — 5 — ns
t
是
用te enable 低至 输出放有效的 — 8
____
10 ns
t
BLZ
(1 )
字节 使能 low至 输出 在 低-z 0
____
0
____
ns
t
BHZ
(1 )
字节 使能 high 至 输出 在 高-z
____
6
____
8ns
写 循环
t
WC
写 循环 time 15
____
20
____
ns
t
AW
Address 有效的 至 终止 的 写 10
____
12
____
ns
t
CW
碎片 select低至 终止 的Write 10
____
12
____
ns
t
BW
字节 使能 低至 终止 的 写 10
____
12
____
ns
t
作
地址 设置-向上 time 0
____
0
____
ns
t
WR
地址 支撑 从终止 的 写 0
____
0
____
ns
t
WP
Write 脉冲波 width 10
____
12
____
ns
t
DW
Dat一个 有效的 至 终止 的 写 8
____
10
____
ns
t
DH
数据 支撑 time 0
____
0
____
ns
t
OW
(1)
写 使能 high 至 输出 在 低-z 1
____
1
____
ns
t
WHZ
(1)
写 使能 低至 输出 在 高-z
____
6
____
8ns
3211 tbl 10
定时 waveform 的读 循环 非. 1
(1,2,3)
注释:
1.
我们
是 高 为 读 循环.
2. 设备 是 continuously 选择,
CS
是 低.
3.
OE
,
BHE
, 和
BLE
是 低.
交流 电的 特性
(v
DD
= 3.3v ± 0.3v,商业的 和 工业的 温度 范围)
数据
输出
地址
3211 drw 07
t
RC
t
AA
t
OH
t
OH
数据
输出
有效的
PREVIOUS 数据
输出
有效的
便条:
1. 这个 参数 是 有保证的 和 这 交流 加载 (图示 2) 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 测试.
: 点此下载
