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资料编号:994457
 
资料名称:IRFP31N50L
 
文件大小: 95K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.15ohm, Id=31A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRFP31N50L
2 www.irf.com
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
g
fs
向前 跨导 15
––– –––
SV
DS
= 50v, i
D
= 19a
Q
g
总的 门 承担
––– –––
210 I
D
= 31a
Q
gs
门-至-源 承担
––– –––
58 nC V
DS
= 400v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
––– –––
100 V
GS
= 10v, 看 图. 6 和 13
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
28
–––
V
DD
= 250v
t
r
上升 时间
–––
115
–––
I
D
= 31a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
54
–––
R
G
= 4.3
t
f
下降 时间
–––
53
–––
V
GS
= 10v,看 图. 10

C
iss
输入 电容
–––
5000
–––
V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容
–––
553
–––
V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容
–––
59
–––
pF
ƒ
= 1.0mhz, 看 图. 5
C
oss
输出 电容
–––
6630
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 1.0v,
ƒ
= 1.0mhz
C
oss
输出 电容
–––
155
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 400v,
ƒ
= 1.0mhz
C
oss
eff. 有效的 输出 电容
–––
276
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 400v
动态 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 500
––– –––
VV
GS
= 0v, i
D
= 250µa
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数
–––
0.28
–––
v/
°
C 涉及 至 25
°
c, i
D
= 1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
–––
0.15 0.18
V
GS
= 10v, i
D
= 19a

V
gs(th)
门 门槛 电压 3.0
–––
5.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
––– –––
50 µA V
DS
= 500v, v
GS
= 0v
––– –––
2.0 毫安 V
DS
= 400v, v
GS
= 0v, t
J
= 125
°
C
门-至-源 向前 泄漏
––– –––
100 V
GS
= 30v
门-至-源 反转 泄漏
––– –––
-100
nA
V
GS
= -30v
静态的 @ t
J
= 25
°
c (除非 否则 指定)
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. (看 图. 11)
I
SD
=
31a, di/dt
422a/µs, v
DD
V
(br)dss
,
T
J
150
°
c.
注释:
开始 t
J
= 25
°
c, l = 1mh, r
G
= 25
,
I
= 31a (看 图示 12a).
脉冲波 宽度
300µs; 职责 循环
2%.
C
oss
eff. 是 一个 fixed 电容 那 给 这 一样 charging 时间
作 c
oss
当 v
DS
是 rising 从 0 至 80% v
DSS
.
标识 参数 典型值 最大值 单位
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力
–––
460 mJ
I
AR
avalanche 电流
–––
31 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
–––
46 mJ
avalanche 特性
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况
–––
0.26
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.24
––– °
c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的
–––
40
热的 阻抗
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