IRFP31N50L
05/23/01
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
V
DSS
R
ds(在)
典型值 I
D
500V 0.15
Ω
31A
益处
产品
至-247ac
转变 模式 电源 供应 (smps)
uninterruptible 电源 供应
高 速 电源 切换
zvs 和 高 频率 电路
pwm 反相器
低 门 承担 qg 结果 在 简单的 驱动 必要条件
改进 门, avalanche 和 动态dv/dt 强壮
全部地 典型 电容 和 avalanche 电压
和 电流
低 trr 和 软 二极管 恢复
高 效能 optimised 反对-并行的 二极管
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 31
I
D
@ t
C
= 100
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 20 一个
I
DM
搏动 流 电流
124
P
D
@T
C
= 25
°
C 电源 消耗 460 W
直线的 减额 因素 3.7 w/
°
C
V
GS
门-至-源电压 ± 30 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
19 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300
(1.6mm 从 情况 )
°
C
挂载 torqe, 6-32 或者 m3 screw 10 lbf
•
在 (1.1n
•
m)
绝对 最大 比率
www.irf.com 1
S
D
G
二极管 特性
一个
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流
––– –––
31 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流
––– –––
124 integral 反转
(身体 二极管)
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压
––– –––
1.5 V T
J
= 25
°
c, i
S
= 31a, v
GS
= 0v
–––
170 250 T
J
= 25
°
c i
F
= 31a
–––
220 330 T
J
= 125
°
C di/dt = 100a/µs
–––
570 860 nC T
J
= 25
°
C
–––
1.2 1.8 µC T
J
= 125
°
C
I
RRM
反转 恢复 电流
–––
7.9 12 一个
t
在
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
t
rr
反转 恢复 时间
Q
rr
反转 恢复 承担
ns
典型 smps topologies
桥 转换器
所有 零 电压 切换
pd - 94081
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