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资料编号:994509
 
资料名称:IRGP20B120UD-E
 
文件大小: 148K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
 
 


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irgp20b120ud-e
8 www.irf.com
图.22 - 典型 电容 vs v
CE
V
GE
=0v; f=1mhz
10
100
1000
10000
020406080100
V
CE
(v)
c 一个 p 一个 c i t 一个 n c e ( p f )
C
ies
C
oes
C
res
图.23 - 典型值 门 承担 vs. v
GE
I
C
=20a; l=600µh
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 40 80 120 160 200
Q
G
, 总的Gate 承担 (nc)
V
g e
( v )
600V
800V
图.21 -Typ. 二极管 e
rec
vs. i
F
Tj=125°C
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
0 102030405060
I
F
(一个)
e n e r g y ( u j )
5
10
22
51
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