IRGP20B120UD-E_集成电路资料查询网

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6 www.irf.com
图.15 - 典型 活力 丧失 vs rg
tj=125°c; l=200µh; v
CE
=600v;
I
CE
=20a; v
GE
=15V
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
rg (ohms)
e n e r g y  ( u j )
Eon
Eoff
图.13 - 典型 活力 丧失 vs ic
tj=125°c; l=200µh; v
CE
=600v;
Rg=22
Ω
; v
GE
=15V
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0 1020304050
I
C
(一个)
e n e r g y  ( µ j )
Eon
Eoff
图.16 - 典型 switching 时间 vs rg
tj=125°c; l=200µh; v
CE
=600v;
I
CE
=20a; v
GE
=15V
10
100
1000
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
rg (ohms)
t  ( n s )
tdon
tdoff
tr
tf
图.14 - 典型 切换 time vs ic
tj=125°c; l=200µh; v
CE
=600v;
Rg=22
Ω
; v
GE
=15V
10
100
1000
0 1020304050
I
C
(一个)
t  ( n s )
tdon
tdoff
tf
tr

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irgp20b120ud-e 6 www.irf.com 图.15 - 典型活力丧失 vs rg tj=125°c; l=200µh; v CE =600v; I CE =20a; v GE =15V 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 2600 2800 3000 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 rg (ohms) e n e r g y ( u j ) Eon Eoff 图.13 - 典型活力丧失 vs ic tj=125°c; l=200µh; v CE =600v; Rg=22 Ω ; v GE =15V 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 0 1020304050 I C (一个) e n e r g y ( µ j ) Eon Eoff 图.16 - 典型 switching 时间 vs rg tj=125°c; l=200µh; v CE =600v; I CE =20a; v GE =15V 10 100 1000 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 rg (ohms) t ( n s ) tdon tdoff tr tf 图.14 - 典型切换 time vs ic tj=125°c; l=200µh; v CE =600v; Rg=22 Ω ; v GE =15V 10 100 1000 0 1020304050 I C (一个) t ( n s ) tdon tdoff tf tr

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