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资料编号:994879
 
资料名称:ISL6532CRZ
 
文件大小: 365K
   
说明
 
介绍:
ACPI Regulator/Controller for Dual Channel DDR Memory Systems
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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当 这 系统 transitions 从 起作用的, s0, 状态 至
关闭, s4/s5, 状态, the isl6532 ic 使不能运转 所有
regulators 和 forces 这 pgood 管脚 和 这 nch 管脚
低.
在/下面 电压 保护
.
两个都 这 内部的 v
TT
ldo 和 这 v
DDQ
调整器 是
保护 从 faults 通过内部的 在/下面 电压
发现 电路系统. 如果 也 rail falls 在下 85% 的 这 targeted
电压, 然后 一个 欠压 事件 是 tripped. 一个 下面
电压 将 使不能运转 所有 regulators 为 一个 时期 的 3 软-开始
循环, 之后 这个 一个 正常的 软-st艺术 是 initiated. 如果 这 输出
仍然是 下面 85% 的 目标, 这 regulators 将 continue 至 是
无能 和 软-started 在 一个 hiccup 模式 直到 这 故障 是
cleared. 看 图示 3.
如果 也 栏杆 超过 115% 的这 targeted 电压, 然后 所有
输出 是 立即 无能. 这 isl6532 将 不 re-
使能 这 输出 直到 也 这 偏差 电压 是 toggled 在
顺序 至 initiate 一个 por 或者 这 slp_s5 信号 是 强迫 低
和 然后 后面的 至 高.
热的 保护 (s0/s3 状态)
如果 这 isl6532 ic 接合面 temperature reaches 一个 名义上的
温度 的 140
o
c, 所有 regulators 将 是 无能. 这
isl6532 将 不 re-使能 这 输出 直到 这 接合面
温度 drops 在下 110
o
c 和 也 这 偏差 电压
是 toggled 在 顺序 至 initiate 一个 por 或者 这 slp_s5 信号 是
强迫 低 和 然后 后面的 至 高.
shoot-通过 保护
一个 shoot-通过 情况 occurs 当 两个都 这 upper 和
更小的 mosfets 是 转变 在 同时发生地, effectively
shorting 这 输入 电压 至 地面. 至 保护 从 一个 shoot-
通过 情况, 这 isl6532 包含 specialized
电路系统 这个 insures 那complementary mosfets 是
不 在 同时发生地.
这 adaptive shoot-通过 保护 使用 用 这 v
DDQ
调整器 looks 在 这 更小的 门 驱动 管脚, lgate, 和 这
upper 门 驱动 管脚, ugate, 至 决定 whether 一个
场效应晶体管 是 在 或者 止. 如果 the 电压 从 ugate 或者 从
lgate 至 地 是 较少 比 0.8v, 然后 这 各自的
场效应晶体管 是 定义 作 正在 的f 和 这 其它 场效应晶体管 是
允许 至 是 转变 在. 这个 方法 准许 这 v
DDQ
自从 这 电压 的 这 mosfet 门 是 正在 量过的
至 决定 这 状态 的 the 场效应晶体管, 这 设计者 是
encouraged 至 考虑 这 repercussions 的 introducing
外部 组件 在 这 门 驱动器 和 它们的
各自的 场效应晶体管 门 在之前 的确 implementing
此类 measures. 做 所以 将 干涉 和 这 shoot-
通过 保护.
应用 指导原则
布局 仔细考虑
布局 是 非常 重要的 在 高 频率 切换
转换器 设计. 和 电源 devices 切换efficiently 在
250khz, 这 结果 电流 transitions 从 一个 设备 至
另一 导致 电压 尖刺 横过 这 interconnecting
阻抗 和 parasitic circuit elements. 这些 电压
尖刺 能 降级 效率, radiate 噪音 在 这 电路,
布局 和 打印 电路 板 设计 降低 这些
电压 尖刺.
作 一个 例子, 考虑 这 转变-止 转变 的 这 upper
场效应晶体管. 较早的 至 转变-止, 这场效应晶体管 是 carrying 这 全部
加载 电流. 在 转变-止,电流 stops 流 在 这
场效应晶体管 和 是 picked 向上 用 这 更小的 场效应晶体管. 任何
parasitic 电感 在 这 切换 电流 path 发生 一个
大 电压 尖刺 在 这 切换 间隔. 细致的
组件 选择, tight 布局 的 这 核心的 组件,
和 短的, 宽 查出 降低 这 巨大 的 电压
尖刺.
那里 是 二 sets 的 核心的 组件 在 这 isl6532
切换 转换器. 这 switching 组件 是 这 大多数
核心的 因为 它们 转变 大 amounts 的 活力, 和
因此 tend 至 发生 大amounts 的 噪音. next 是
这 小 信号 组件 这个 连接 至 敏感的
nodes 或者 供应 核心的 绕过 电流 和 信号 连接.
一个 multi-layer 打印 电路 板 是 推荐. 图示 4
显示 这 连接 的 这核心的 组件 在 这
转换器. 便条 那 电容 c
和 c
输出
可以 各自
时间
T1
T0 T2
内部的 延迟
延迟 间隔
500mv/div
V
DDQ
V
TT
图示 3. V
TT
/v
DDQ
ldo 下面 电压 保护
RESPONSES
ISL6532
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