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资料编号:994926
 
资料名称:ISL6568CRZ-T
 
文件大小: 716K
   
说明
 
介绍:
Two-Phase Buck PWM Controller with Integrated MOSFET Drivers for VRM9, VRM10, and AMD Hammer Applications
 
 


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5
fn9187.3
july 25, 2005
绝对 maximum 比率
供应 电压, vcc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3v 至 +6v
供应 电压, pvcc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3v 至 +15v
绝对 激励 电压, v
激励
. . . . . . . . 地 - 0.3v 至 地 + 36v
阶段 电压, v
阶段
. . . . . . . . 地 - 0.3v 至 15v (pvcc = 12)
地 - 8v (<400ns, 20µj) 至 24v (<200ns, v
激励-阶段
= 12v)
upper 门 电压, v
UGATE
. . . . V
阶段
- 0.3v 至 v
激励
+ 0.3v
V
阶段
- 3.5v (<100ns 脉冲波 宽度, 2µj) 至 v
激励
+ 0.3v
更小的 门 电压, v
LGATE
. . . . . . . . 地 - 0.3v 至 pvcc + 0.3v
地 - 5v (<100ns 脉冲波 宽度, 2µj) 至 pvcc+ 0.3v
输入, 输出, 或者 i/o 电压 . . . . . . . . . 地 - 0.3v 至 vcc + 0.3v
静电释放 分类 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 类 i 电子元件工业联合会 标准
推荐 运行 情况
vcc 供应 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5V
±
5%
pvcc 供应 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5v 至 12v
±
5%
包围的 温度 (isl6568cr, isl6568crz). . . . 0°c 至 70°c
包围的 温度 (isl6568ir, isl6568irz) . . . . .-40°c 至 85°c
热的 信息
热的 阻抗
θ
JA
(°c/w)
θ
JC
(°c/w)
qfn 包装 (注释 1, 2) . . . . . . . . . . 35 5
最大 接合面 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C
最大 存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . -65°c 至 150°c
最大 含铅的 温度 (焊接 10s) . . . . . . . . . . . . . 300°C
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “absolute 最大 ratings”将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 only 比率 和 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在这 运算的 部分 的 这个 规格 是 不 暗指.
注释:
1.
θ
JA
是 量过的 在 自由 空气 和 这 组件 挂载 在 一个 高 effective 热的 conductivity test 板 和 “direct attach” features. 看
tech brief tb379.
2.
θ
JC
, 这 “case temp” location 是 这 中心 的这 exposed metal 垫子 在 这 包装 underside.
电的 规格
推荐 运行 情况, 除非 否则 指定.
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
偏差 供应 和 内部的 振荡器
输入 偏差 供应 电流 I
VCC
; enll = 高 - 15 20 毫安
门 驱动 偏差 电流 I
PVCC
; enll = 高 - 1.5 - 毫安
vcc por (电源-在 重置) 门槛 vcc rising 4.25 4.38 4.50 V
vcc 下落 3.75 3.88 4.00 V
pvcc por (电源-在 重置) 门槛 pvcc rising 4.25 4.38 4.50 V
pvcc 下落 3.60 3.88 4.00 V
振荡器 ramp 振幅 (便条 3) V
PP
-1.50-v
最大 职责 循环 (便条 3) - 66.6 - %
振荡器 频率, f
SW
R
T
= 100k
(
±
0.1%) 225 250 275 kHz
控制 门槛
enll rising 门槛 -0.66-v
enll hysteresis - 100 - mV
竞赛 关闭 门槛 竞赛 下落 0.2 0.3 0.4 V
涉及 和 dac
系统 精度 (vid = 1.0v - 1.850v) -0.5 - 0.5 %
系统 精度 (vid = 0.8v - 1.0v) -0.8 - 0.8 %
dac 输入 低 电压 (vr9, vr10) --0.4v
dac 输入 高 电压 (vr9, vr10) 0.8 - - V
dac 输入 低 电压 (amd) --0.6v
dac 输入 高 电压 (amd) 1.0 - - V
ofs 下沉 电流 精度 (负的 补偿) R
OFS
= 30k
从 ofs 至 vcc 47.5 50.0 52.5
µ
一个
ofs 源 电流 精度 (积极的 补偿) R
OFS
= 10k
从 ofs 至 地 47.5 50.0 52.5
µ
一个
ISL6568ISL6568
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