©2002 仙童 半导体 公司 rev. a2, 九月 2002
KSA1182
pnp 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性
T
一个
=25
°
C
除非 否则 指出
h
FE
分类
标识 参数 比率 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 -35 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 -30 V
V
EBO
发射级-根基 电压 -5 V
I
C
集电级 电流 -500 毫安
P
C
集电级 电源 消耗 150 mW
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 -55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
= -35v, i
E
=0 -0.1
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= -5v, i
C
=0 -0.1
µ
一个
h
FE1
h
FE2
直流 电流 增益 V
CE
= -1v, i
C
= -100ma
V
CE
= -6v, i
C
= -400ma
70
25
240
V
CE
(sat)
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= -100ma, i
B
= -10ma -0.1 -0.25 V
V
是
(在) 根基-发射级 在 电压 V
CE
= -1v , i
C
= -100ma -0.8 -1.0 V
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
= -6v, i
C
= -20ma 200 MHz
C
ob
输出 电容 V
CB
= -6v, i
E
= 0, f=1mhz 13 pF
分类 O Y
h
FE1
70 ~ 140 120 ~ 240
1. 根基 2. 发射级 3. 集电级
KSA1182
低 频率 电源 放大器
• complement 至 ksc2859
F10
标记
h
FE
等级
sot-23
1
2
3
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