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©2002 仙童 半导体 公司
KSA1182
rev. a2, 九月 2002
典型 特性
图示 1. 静态的 典型的 图示 2. 直流 电流 增益
图示 3. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 4. 根基-发射级 在 电压
图示 5. 集电级 输出 电容
-0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10
-20
-40
-60
-80
-100
-120
-140
-160
-180
-200
I
B
=-1.0ma
I
B
=-1.2ma
I
B
=-0.8ma
I
B
=-1.4ma
I
B
=-0.6ma
I
B
=-0.4ma
I
B
=-1.6ma
I
B
=-0.2ma
I
C
[ma], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
-1 -10 -100 -1000
10
100
1000
V
CE
= -1v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[ma], 集电级 电流
-1 -10 -100 -1000
-0.01
-0.1
-1
-10
I
C
= 10 i
B
V
CE
(sat)
V
是
(sat)
V
是
(sat), v
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[ma], 集电级 电流
0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2
-1
-10
-100
-1000
V
CE
= -1v
I
C
[ma], 集电级 电流
V
是
[v], 根基-发射级 电压
-1 -10 -100 -300
1
10
20
f = 1mhz
I
E
=0
C
ob
[pf], 电容
V
CB
[v], 集电级 根基 电压

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©2002 仙童半导体公司 KSA1182 rev. a2, 九月 2002 典型特性图示 1. 静态的典型的图示 2. 直流电流增益图示 3. 根基-发射级饱和电压集电级-发射级饱和电压图示 4. 根基-发射级在电压图示 5. 集电级输出电容 -0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10 -20 -40 -60 -80 -100 -120 -140 -160 -180 -200 I B =-1.0ma I B =-1.2ma I B =-0.8ma I B =-1.4ma I B =-0.6ma I B =-0.4ma I B =-1.6ma I B =-0.2ma I C [ma], 集电级电流 V CE [v], 集电级-发射级电压 -1 -10 -100 -1000 10 100 1000 V CE = -1v h FE , 直流电流增益 I C [ma], 集电级电流 -1 -10 -100 -1000 -0.01 -0.1 -1 -10 I C = 10 i B V CE (sat) V 是 (sat) V 是 (sat), v CE (sat)[v], 饱和电压 I C [ma], 集电级电流 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1 -10 -100 -1000 V CE = -1v I C [ma], 集电级电流 V 是 [v], 根基-发射级电压 -1 -10 -100 -300 1 10 20 f = 1mhz I E =0 C ob [pf], 电容 V CB [v], 集电级根基电压

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