K6R4004C1D
cmos sram
初步的
rev 1.0
- 3 -
july 2002
1m x 4 位 高-速 cmos 静态的 内存
一般 描述
特性
•快 进入 时间 10ns(最大值.)
•低 电源 消耗
备用物品 (ttl) : 20ma(最大值.)
(cmos) : 5ma(最大值.)
运行 k6r4004c1d-10 : 65ma(最大值.)
单独的 5.0v
±
10%电源 供应
•ttl 兼容 输入 和 输出
•全部地 静态的 运作
- 非 时钟 或者 refresh 必需的
•三 状态 输出
•中心 电源/地面 管脚 配置
•标准 管脚 配置
k6r4004c1d-j : 32-soj-400
•运行 在 商业的 和 工业的 温度 范围.
管脚 函数
管脚 名字 管脚 函数
一个0- 一个19 地址 输入
我们 写 使能
CS 碎片 选择
OE 输出 使能
i/o1~ i/o4 数据 输入/输出
VCC 电源(+5.0v)
VSS 地面
n.c 非 连接
这 k6r4004c1d 是 一个 4,194,304-位 高-速 静态的 随机的
进入 记忆 有组织的 作 1,048,576 words 用 4 位. 这
k6r4004c1d 使用 4 一般 输入 和 输出 线条 和 有 一个
输出 使能 管脚 这个 运作 faster 比 地址 进入
时间 在 读 循环. 这 设备 是 fabricated 使用 samsung
′
s
先进的 cmos 处理 和 设计 为 高-速 电路
技术. 它 是 特别 好 suited 为 使用 在 高-密度
高-速 系统 产品. 这 k6r4004c1d 是 packaged
在 一个 400 mil 32-管脚 塑料 soj.
管脚 配置
(顶 视图)
SOJ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
一个19
一个18
一个17
一个16
一个15
OE
i/o4
Vss
Vcc
i/o3
一个14
一个13
一个12
一个11
一个10
n.c
一个0
一个1
一个2
一个3
一个4
CS
i/o1
Vcc
Vss
i/o2
我们
一个5
一个6
一个7
一个8
一个9
clk gen.
i/o1~i/o4
CS
我们
OE
函数的 块 图解
行 选择
数据
内容.
column 选择
CLK
gen.
前-承担 电路
记忆 排列
1024 rows
1024 x 4 columns
i/o 电路
一个10一个12一个14一个16一个18
一个11一个13一个15一个17一个19
一个0
一个1
一个2
一个3
一个4
一个5
一个6
一个7
一个8
一个9
: 点此下载
