K6R4004C1D
cmos sram
初步的
rev 1.0
- 4 -
july 2002
绝对 最大 ratings*
*
压力 更好 比 那些 列表 下面 "绝对 最大 比率" 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 rating 仅有的 和
函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运行 sections 的 这个 规格ification 是 不 暗指.
暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 可靠性.
参数 标识 比率 单位
电压 在 任何 管脚 相关的 至 vSS V在,V输出 -0.5 至 vCC+0.5 V
电压 在 vCC供应 相关的 至 vSS VCC -0.5 至 7.0 V
电源 消耗 PD 1.0 W
存储 温度 TSTG -65 至 150
°
C
运行 温度 商业的 T一个 0 至 70
°
C
工业的 T一个 -40 至 85
°
C
推荐 直流 运行 conditions*
(t一个=0 至 70
°
c)
* 这 在之上 参数 是 也 有保证的 在 工业的 温度 范围.
**
VIL(最小值) = -2.0v 一个.c(脉冲波 宽度
≤
8ns) 为 i
≤
20ma.
***
VIH(最大值) = vCC+ 2.0v 一个.c (脉冲波 宽度
≤
8ns) 为 i
≤
20ma.
参数
标识
最小值
典型值 最大值 单位
供应 电压 VCC 4.5 5.0 5.5 V
地面 VSS 0 0 0 V
输入 高 电压 VIH 2.2 - VCC+0.5**
V
输入 低 电压 VIL -0.5* - 0.8
V
CAPACITANCE*
(t一个=25
°
c, f=1.0mhz)
* 电容 是 抽样 和 不 100% 测试.
Item 标识 测试 情况 最小值 最大值 单位
输入/输出 电容 Ci/o Vi/o=0V - 8 pF
输入 电容 C在 V在=0V - 6 pF
直流 和 运行 characteristics*
(t一个=0 至 70
°
c, vcc=5.0v
±
10%, 除非 否则 指定)
* 这 在之上 参数 是 也 有保证的 在 工业的 温度 范围.
参数 标识 测试 情况
最小值 最大值
单位
输入 泄漏 电流 ILI V在=VSS至VCC -2 2
µ
一个
输出 泄漏 电流
ILO CS=VIH或者OE=VIH或者我们=VIL
V输出=VSS至VCC
-2 2
µ
一个
运行 电流 ICC
最小值 循环, 100% 职责
CS=Vil,V在=VIH或者Vil,I输出=0mA
com. 10ns - 65
毫安
ind. 10ns - 75
备用物品 电流
ISB 最小值 循环,CS=VIH - 20 毫安
ISB1 f=0mhz,CS
≥
VCC-0.2v,
V在
≥
VCC-0.2v 或者 v在
≤
0.2v
- 5
输出 低 电压 水平的 VOL IOL=8mA - 0.4 V
输出 高 电压 水平的 VOH IOH=-4ma 2.4 - V
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