KM68V257C
cmos sram
初步的
rev 3.0
- 6 -
二月 1998
注释
(读 循环)
1.我们是 高 为 读 循环.
2. 所有 读 循环 定时 是 关联 从 这 last 有效的 地址 至 这 第一 转变 地址.
3. tHZ和 tOHZ是 定义 作 这 时间 在 这个 这 输出 达到 这 打开 电路 情况 和 是 不 关联 至 vOH或者 vOL
水平.
4. 在 任何 给 温度 和 电压 情况, tHZ(最大值.) 是 较少 比 tLZ(最小值.) 两个都 为 一个 给 设备 和 从 设备 至
设备.
5. 转变 是 量过的
±
200mv 从 稳步的 状态 电压 和 加载(b). 这个 参数 是 抽样 和 不 100% 测试.
6. 设备 是 continuously 选择 和CS=Vil.
7. 地址 有效的 较早的 至 coincident 和CS转变 低.
8. 为 一般 i/o 产品, minimization 或者 除去 的 总线 contention 情况 是 需要 在 读 和 写 cycle.
定时 波形 的 读 循环(2)
(我们=VIH)
CS
地址
OE
数据 ou
t
tAA
tOLZ
tlz(4,5)
tOH
tOHZ
tRC
tOE
tCO
tPU
tPD
有效的 数据
thz(3,4,5)
50%
50%
VCC
电流
ICC
ISB
定时 波形 的 写 循环(1)
(OE= 时钟)
地址
CS
twp(2)
tDW tDH
有效的 数据
我们
数据 在
数据 输出
tWC
twr(5)
tAW
tcw(3)
高-z(8)
高-z
OE
tohz(6)
t作(4)
: 点此下载
