©2002 仙童 半导体 公司 rev. a2, 九月 2002
ksd1616/1616a
npn 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
*
PW
≤
10ms, 职责 循环 < 50%
电的 特性
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: pw<350
µ
s, 职责 循环
≤
2% 搏动
h
FE1
分类
标识 参数 比率 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 : ksd1616
: ksd1616a
60
120
V
V
V
CEO
集电级-发射级 电压 : ksd1616
: ksd1616a
50
60
V
V
V
EBO
发射级-根基 电压 6 V
I
C
集电级 电流 (直流) 1 一个
I
CP
* 集电级 电流 (脉冲波) 2 一个
P
C
集电级 电源 消耗 0.75 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 -55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
=60v, i
E
=0 100 nA
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
=6v, i
C
=0 100 nA
h
FE1
h
FE2
直流 电流 增益
: ksd1616
: ksd1616a
V
CE
=2v, i
C
=100mA
V
CE
=2v, i
C
=1A
135
135
81
600
400
V
是
(在) * 根基-发射级 在 电压 V
CE
=2v, i
C
=50mA 600 640 700 mV
V
CE
(sat) * 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
=1a, i
B
=50mA 0.15 0.3 V
V
是
(sat) * 根基-发射级 饱和 电压 I
C
=1a, i
B
=50mA 0.9 1.2 V
C
ob
输出 电容 V
CE
=10v, i
E
=0, f=1mhz 19 pF
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
=2v, i
C
=100mA 100 160 MHz
t
在
转变 在 时间 V
CC
=10v, i
C
=100mA
I
B1
= -i
B2
=10mA
V
是
(止) = -2~-3v
0.07
µ
s
t
STG
存储 时间 0.95
µ
s
t
F
下降 时间 0.07
µ
s
分类 y G L
h
FE1
135 ~ 270 200 ~ 400 300 ~ 600
ksd1616/1616a
音频的 频率 电源 放大器 &放大; 中等
速 切换
• complement 至 ksb1116/1116a
1. 发射级 2. 集电级 3. 根基
至-92
1
: 点此下载
