©2002 仙童 半导体 公司
ksd1616/1616a
rev. a2, 九月 2002
典型 特性
图示 1. 静态的 典型的 图示 2. 静态的 典型的
图示 3. 直流 电流 增益 图示 4. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 5. 集电级 输出 电容 图示 6. 切换 时间
0246810
0
20
40
60
80
100
I
B
= 300
µ
一个
I
B
= 250
µ
一个
I
B
= 200
µ
一个
I
B
= 100
µ
一个
I
B
= 150
µ
一个
I
B
= 50
µ
一个
I
C
[ma], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
0.00.20.40.60.81.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
B
= 4.0ma
I
B
= 4.5ma
I
B
= 5.0ma
I
B
= 3.5ma
I
B
= 3.0ma
I
B
= 2.5ma
I
B
= 2.0ma
I
B
= 1.0ma
I
B
= 1.5ma
I
B
= 0.5ma
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
0.01 0.1 1 10
1
10
100
1000
V
CE
= 2v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[ma], 集电级 电流
0.01 0.1 1 10
0.01
0.1
1
10
I
C
= 20 i
B
V
CE
(sat)
V
是
(sat)
V
是
(sat), v
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
1 10 100
1
10
100
1000
I
E
=0
f = 1mhz
C
ob
[pf], 电容
V
CB
[v], 集电级-根基 电压
-0.001 -0.01 -0.1 -1
0.01
0.1
1
10
V
CC
= -10v
I
C
= 10i
B1
= -10i
B2
t
F
t
在
t
STG
t
在
, t
STG
, t
F
[
µ
s], 时间
I
C
[a], 集电级 电流
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