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资料编号:835071
 
资料名称:IDT72V2105L10PFI
 
文件大小: 237K
   
说明
 
介绍:
3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO 131,072 x 18 262,144 x 18
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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 
3.3 volt 高 密度 cmos
supersync fifo™
131,072 x 18
262,144 x 18
IDT72V295
IDT72V2105
dsc-4668/2
2001 整体的 设备 技术, 公司
这 supersync 先进先出 是 一个 商标 和 这 idt 标志 是 一个 注册 商标 的 整体的 设备 技术, 公司


choose among 这 下列的 记忆 organizations:
IDT72V295


131,072 x 18
IDT72V2105


262,144 x 18
管脚-兼容 和 这 idt72v255/72v265 和 这 idt72v275/
72v285 supersync fifos
fixed, 低 第一 文字 数据 latency 时间
5v 输入 tolerant
自动 电源 向下 降低 备用物品 电源 消耗量
主控 重置 clears 全部 先进先出
partial 重置 clears 数据, 但是 retains 可编程序的 settings
retransmit 运作 和 fixed, 低 第一 文字 数据 latency 时间
empty, 全部 和 half-全部 flags 信号 先进先出 状态
可编程序的 almost-empty 和 almost-全部 flags, 各自 标记 能
default 至 一个 的 二 preselected 补偿
程序 partial flags 用 也 串行 或者 并行的 意思
选择 idt 标准 定时 (使用
EF
FF
flags) 或者 第一 文字
下降 通过 定时 (使用
或者
IR
flags)
输出 使能 puts 数据 输出 在 高 阻抗 状态
容易地 expandable 在 depth 和 宽度
独立 读 和 写 clocks (准许 读 和 writing
同时发生地)
有 在 这 64-管脚 薄的 四方形 flat 包装 (tqfp)
高-效能 submicron cmos 技术

输入 寄存器
输出 寄存器
内存 排列
131,072 x 18
262,144 x 18
标记
逻辑
FF
/
IR
PAF
EF
/
或者
PAE
HF
读 pointer
控制
逻辑
写 控制
逻辑
写 pointer
重置
逻辑
WEN
WCLK
D
0
-d
17
LD
MRS
REN
RCLK
OE
Q
0
-q
17
补偿 寄存器
PRS
fwft/si
SEN
RT
4668 drw 01

这 idt72v295/72v2105 是 exceptionally 深的, 高 速, cmos
第一-在-第一-输出 (先进先出) memories 和 clocked 读 和 写 控制. 这些
fifos 提供 numerous 改进 在 previous supersync fifos, includ-
ing 这 下列的:
这 限制 的 这 频率 的 一个 时钟 输入 和 遵守 至 这 其它
有 被 移除. 这 频率 选择 管脚 (fs) 有 被 移除,
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