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资料编号:180668
 
资料名称:BSP171P
 
文件大小: 60.23K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power Transistor (P-Channel Enhancement mode Avalanche rated Logic Level dv/dt rated)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BSP171P
SIPMOS
®
小-信号-晶体管
特性
• p-频道
• 增强 模式
• 逻辑 水平的
• avalanche 评估
• d
v
/d
t
评估
最大 比率,
T
j
=25 °c, 除非 否则 指定
参数 标识 情况 单位
持续的 流 电流
I
D
T
一个
=25 °c
1)
一个
T
一个
=70 °c
1)
搏动 流 电流
I
d,脉冲波
T
一个
=25 °c
avalanche 活力, 单独的 脉冲波
E
I
D
=-1.9 一个,
R
GS
=25
mJ
反转 二极管 d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=-1.9 一个,
V
DS
=-48 v,
d
i
/d
t
=-200 一个/µs,
T
j,最大值
=150 °c
kv/µs
门 源 电压
V
GS
V
电源 消耗
P
tot
T
一个
=25 °c
1)
W
运行 和 存储 温度
T
j
,
T
stg
°C
iec climatic 类别; din iec 68-1
55/150/56
-55 ... 150
±20
-6
-1.9
-1.5
1.8
70
-7.6
稳步的 状态
V
DS
-60 V
R
ds(在),最大值
0.3
I
D
-1.9 一个
产品 summary
类型 包装 订货 代号 标记
bsp 171 p sot-223 q67041-s4019 171P
sot-223
rev. 2.0 页 1 2004-01-20
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