文档 非. e0639e50 (ver. 5.0)
日期 发行 8月 2005 (k) 日本
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elpida 记忆, 公司 2005
初步的 数据 薄板
256m 位 sdram
eds2532eebh-75 (8m words
×
32 位)
描述
这 eds2532eebh 是 一个 256m 位 sdram 有组织的
作 2,097,152 words
×
32 位
×
4 banks. 所有 输入 和
输出 是 同步 和这 积极的 边缘 的 这
时钟.
它 是 packaged 在 90-球 fbga.
特性
•
1.8v 电源 供应
•
时钟 频率: 133mhz (最大值.)
•
lvcmos 接口
•
单独的 搏动 /ras
• ×
32 organization
•
4 banks 能 运作 同时发生地 和
independently
•
burst 读/写 运作 一个d burst 读/单独的 写
运作 能力
•
可编程序的 burst 长度 (bl): 1, 2, 4, 8 和 全部
页
•
2 变化 的 burst sequence
sequential (bl = 1, 2, 4, 8, 全部 page)
interleave (bl = 1, 2, 4, 8)
•
可编程序的 /cas latency (cl): 2, 3
•
可编程序的 驱动器 力量: half , quarter
•
字节 控制 用 dqm
•
地址
4k 行 地址 /512 column 地址
•
refresh 循环
4096 refresh 循环/64ms
•
2 变化 的 refresh
自动 refresh
自 refresh
•
fbga 包装 和 含铅的 自由 焊盘 (sn-ag-cu)
rohs 一致的
管脚 配置
/xxx 表明 起作用的 低 信号.
DQ26
1
一个
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
23456789
DQ28
VSSQ
VSSQ
VDDQ
VSS
A4
A7
CLK
DQ24
VDDQ
DQ27
DQ29
DQ31
DQM3
A5
A8
CKE
VSS
VSSQ
DQ25
DQ30
NC
A3
A6
NC
A9
VDD
VDDQ
DQ22
DQ17
NC
A2
A10
NC
BA0
DQ23
VSSQ
DQ20
DQ18
DQ16
DQM2
A0
BA1
/cs
DQ21
DQ19
VDDQ
VDDQ
VSSQ
VDD
A1
A11
/ras
(顶 视图)
DQM1 NC NC /cas /我们 DQM0
VDDQ DQ8 VSS VDD DQ7 VSSQ
VSSQ DQ10 DQ9 DQ6 DQ5 VDDQ
VSSQ DQ12 DQ14 DQ1 DQ3 VDDQ
DQ11 VDDQ VSSQ VDDQ VSSQ DQ4
DQ13 DQ15 VSS VDD DQ0 DQ2
90-球 fbga
地址 输入
bank 选择 地址
数据-输入/输出
碎片 选择
行 地址 strobe
column 地址 strobe
写 使能
dq 掩饰 使能
时钟 使能
时钟 输入
电源 为 内部的 电路
地面 为 内部的 电路
电源 为 dq 电路
地面 为 dq 电路
非 连接
a0 至 a11
ba0, ba1
dq0 至 dq31
/cs
/ras
/cas
/我们
dqm0 至 dqm3
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
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