©2005 仙童 半导体 公司
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January 2005
fds6699s rev. d
fds6699s 30v n-频道 powertrench
®
SyncFET™
FDS6699S
30v n-频道 powertrench
®
SyncFET™
特性
■
21 一个, 30 v 最大值 r
ds(在)
= 3.6 m
Ω
@ v
GS
= 10 v
最大值 r
ds(在)
= 4.5 m
Ω
@ v
GS
= 4.5 v
■
包含 syncfet 肖特基 身体 二极管
■
高 效能 trench 技术 为 极其 低
R
ds(在)
和 快 切换
■
高 电源 和 电流 处理 能力
■
100% r
G
(门 阻抗) 测试
产品
■
同步的 rectifier 为 直流/直流 转换器 –
■
notebook vcore 低 一侧 转变
■
要点 的 加载 低 一侧 转变
一般 描述
这 fds6699s 是 设计 至 替代 一个 单独的 所以-8 场效应晶体管
和 肖特基 二极管 在 同步的 直流:直流 电源 供应.
这个 30v 场效应晶体管 是 设计 至 maximize 电源 转换
efficiency, 供应 一个 低 r
ds(在)
和 低 门 承担. 这
fds6699s 包含 一个 整体的 肖特基 二极管 使用 fair-
child’s 大而单一的 syncfet 技术.
绝对 最大 比率
T
一个
=25°c 除非 否则 指出
Package 标记 和 订货 信息
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压
30 v
V
GSS
门-源 电压
±
20 V
I
D
流 电流 – 持续的 (便条 1a)
21 一个
– 搏动 105
P
D
Power 消耗 为 单独的 运作 (便条 1a)
2.5 W
(便条 1b) 1.2
(便条 1c) 1
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围
–55 至 +125
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 (便条 1a)
50
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 (便条 1) 25
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS6699S FDS6699S 13’’ 12mm 2500 单位
S
D
S
S
所以-8
D
D
D
G
5
6
7
8
4
3
2
1
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