最大值
n-频道 p-频道
V
DS
流-至-源 电压 20 -20
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 2.7 -2.2
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 2.2 -1.7
I
DM
搏动 流 电流
11 -9.0
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗
0.96 W
P
D
@T
一个
= 70°c 电源 消耗
0.62
直线的 减额 因素 7.7 mw/°c
V
GS
门-至-源 电压 ± 12 V
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 °C
n-ch p-ch
V
DSS
20V -20v
R
ds(在)
0.090
Ω
0.135
Ω
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
2/26/02
IRF5851
描述
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
––– 130 °c/w
热的 阻抗
www.irf.com 1
这些 n 和 p 频道 mosfets 从 国际的
整流器 utilize 先进的 处理 技巧 至 达到
这 极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 这个
益处 提供 这 设计者 和 一个 极其 效率高的
设备 为 使用 在 电池 和 加载 管理
产品.
这个 双 tsop-6 包装 是 完美的 为 产品
在哪里 打印 电路 板 空间 是 在 一个 premium 和
在哪里 最大 符合实际 是 必需的. 和 二 消逝
每 包装, 这 irf5851 能 提供 这 符合实际 的
二 sot-23 包装 在 一个 小 footprint. 它的 唯一的
热的 设计 和 r
ds(在)
减少 使能 一个
增加 在 电流-处理 能力.
绝对 最大 比率
-55 至 + 150
过激 低 在-阻抗
双 n 和 p 频道 场效应晶体管
表面 挂载
有 在 录音带 &放大; 卷轴
低 门 承担
tsop-6
pd-93998a
3
2
1
G2
G1
S2
S1
4
5
6
D2
D1
: 点此下载
