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资料编号:315253
 
资料名称:IRF5851
 
文件大小: 172.54K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss = +-20 V)
 
 


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IRF5851
8 www.irf.com
p-频道
图 18.
典型 转移 特性
图 17.
典型 输出 特性
图 16.
典型 输出 特性
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
t , 接合面 temperature ( c)
r , 流-至-源 在 阻抗
(normalized)
J
ds(在)
°
V =
I =
GS
D
-4.5v
-2.2a
图 19.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
0.1
1
10
1.2 1.6 2.0 2.4 2.8
v = -15v
20µs 脉冲波 wIDTH
DS
-v , 门-至-源 电压 (v)
-i , 流-至-源 电流 (一个)
GS
D
t = 25 c
J
°
t = 150 c
J
°
0.01
0.1
1
10
100
0.1 1 10 100
20µs 脉冲波 宽度
t = 25 C
J
°
BOTTOM
VGS
-7.0v
-5.0v
-4.5v
-2.5v
-2.0v
-1.8v
-1.5v
-1.2v
-v , 流-至-源 电压 (v)
-i , 流-至-源 电流 (一个)
DS
D
-1.2v
0.1
1
10
100
0.1 1 10 100
20µs 脉冲波 宽度
t = 150 C
J
°
BOTTOM
VGS
-7.0v
-5.0v
-4.5v
-2.5v
-2.0v
-1.8v
-1.5v
-1.2v
-v , 流-至-源 电压 (v)
-i , 流-至-源 电流 (一个)
DS
D
-1.2v
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