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资料编号:315253
 
资料名称:IRF5851
 
文件大小: 172.54K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss = +-20 V)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF5851
www.irf.com 9
图 21.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 20.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 23.
最大 safe 运行 范围
1 10 100
0
100
200
300
400
500
-v ,Drain-to-source voltage (v)
c, 电容 (pf)
DS
V
C
C
C
=
=
=
=
0v,
C
C
C
f = 1mhz
+ c
+ c
c 短接
GS
iss gs gd , ds
rss gd
oss ds gd
C
iss
C
oss
C
rss
0 2 4 6 8
0
2
4
6
8
10
q , 总的 门 承担 (nc)
-v , 门-至-源 电压 (v)
G
GS
I =
D
-2.2a
V =-10v
DS
V =-16v
DS
图 22.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0.1
1
10
100
0.1 1 10 100
运作 在 这个 范围 限制
用 r
ds(在)
单独的 脉冲波
T
T
= 150 c
= 25 c
°
°
J
一个
-v ,Drain-to-source voltage (v)
-i , 流 电流 (一个)i , 流 电流 (一个)
DS
D
100us
1ms
10ms
p-频道
0.1
1
10
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
-v ,源-至-流 电压 (v)
-i , 反转 流 电流 (一个)
SD
SD
v = 0 v
GS
t = 25 c
J
°
t = 150 c
J
°
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