IRF7422D2
11/27/01
描述
所以-8
注释:
repetitive 比率 – 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度 (看 图. 11)
I
SD
≤
-2.2a, di/dt
≤
-50a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
, t
J
≤
150°C
脉冲波 宽度
≤
300µs – 职责 循环
≤
2%
表面 挂载 在 fr-4 板, t
≤
10sec.
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
DG
S
一个
一个
一个
顶 视图
一个
V
DSS
= -20v
R
ds(在)
= 0.09
Ω
肖特基 vf = 0.52v
FETKY
场效应晶体管 &放大; 肖特基 二极管
TM
这
FETKY
TM
家族 的 co-packaged hexfets 和
肖特基 二极管 提供 这 设计者 一个 革新的
板 空间 节省 解决方案 为 切换 调整器
和 电源 管理 产品. 一代 5
hexfets utilize 先进的 处理 技巧 至
达到 极其 低 在-阻抗 每 硅 范围.
combinining 这个 技术 和 国际的
整流器's 低 向前 漏出 肖特基 整流器 结果
在 一个 极其 效率高的 设备 合适的 为 使用 在 一个
宽 多样性 的 可携带的 electronics 产品.
这 所以-8 有 被 修改 通过 一个 customized
引线框架 为 增强 热的 特性. 这
所以-8 包装 是 设计 为 vapor 阶段, infrared 或者
波 焊接 技巧.
绝对 最大 比率
www.irf.com 1
参数 最大 单位
R
θ
JA
接合面-至-包围的
➃
62.5
°
c/w
热的 阻抗 比率
参数 最大 单位
I
D
@ t
一个
= 25
°
C -4.3
I
D
@ t
一个
= 70
°
C -3.4
I
DM
搏动 流 电流
➀
-33
P
D
@T
一个
= 25
°
C 2.0
P
D
@T
一个
= 70
°
C 1.3
直线的 减额 因素 16 mw/
°
C
V
GS
门-至-源 电压 ± 12 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
➁
-5.0 v/ns
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 +150
°
C
co-packaged hexfet
电源
场效应晶体管 和 肖特基 二极管
完美的 为 buck 调整器 产品
p-频道 hexfet
低 v
F
肖特基 整流器
一代 5 技术
所以-8 footprint
持续的 流 电流, v
GS
@ -4.5v
电源 消耗
一个
W
pd- 91412l
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