mrf5s9100nr1 mrf5s9100nbr1 mrf5s9100mr1 mrf5s9100mbr1
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rf 设备 数据
freescale 半导体
rf 电源 地方 效应 晶体管
N-频道 增强-模式 lateral mosfets
设计 为 broadband 商业的 和 工业的 产品 和
发生率 向上 至 1000 mhz. 这 高 增益 和 broadband 效能 的
这些 设备 制造 它们 完美的 为 大-信号, 一般-源 放大器
产品 在 26 volt 根基 station 设备.
•
典型 单独的-运输车 n-cdma 效能 @ 880 mhz, v
DD
= 26 伏特,
I
DQ
= 950 毫安, p
输出
= 20 watts avg., 是-95 cdma (领航员, 同步, paging,
交通量 代号 8 通过 13) 频道 带宽 = 1.2288 mhz. par =
9.8 db @ 0.01% probability 在 ccdf.
电源 增益 — 19.5 db
流 效率 — 28%
acpr @ 750 khz 补偿 —-46.8 dbc @ 30 khz 带宽
•
有能力 的 处理 10:1 vswr, @ 26 vdc, 880 mhz, 100 watts cw
输出 电源
•
典型 和 序列 相等的 大-信号 阻抗 参数
•
内部 matched 为 使容易 的 使用
•
qualified 向上 至 一个 最大 的 32 v
DD
运作
•
整体的 静电释放 保护
•
n 后缀 indicates 含铅的-自由 terminations
•
200
°
c 有能力 塑料 包装
•
在 录音带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 每 44 mm, 13 inch 卷轴.
表格 1. 最大 比率
比率 标识 值 单位
流-源 电压 V
DSS
- 0.5, +68 Vdc
门-源 电压 V
GS
- 0.5, + 15 Vdc
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
336
1.92
W
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
- 65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
表格 2. 热的 特性
典型的 标识 值
(1,2)
单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况
情况 温度 80
°
c, 20 w cw
R
θ
JC
0.52
°
c/w
1. mttf calculator 有 在 http://www.freescale.com/rf. 选择 tools/软件/应用 软件/calculators 至 进入
这 mttf calculators 用 产品.
2. 谈及 至 an1955,
热的 度量 methodology 的 rf 电源 放大器.
go 至 http://www.freescale.com/rf.
选择 必备资料/应用 注释-an1955.
便条 -
提醒
-mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
文档 号码: mrf5s9100
rev. 3, 7/2005
freescale 半导体
技术的 数据
880 mhz, 20 w avg., 26 v
单独的 n-CDMA
lateral n-频道
rf 电源 mosfets
MRF5S9100NR1
MRF5S9100NBR1
MRF5S9100MR1
MRF5S9100MBR1
情况 1486-03, 样式 1
至-270 wb-4
塑料
mrf5s9100nr1(mr1)
情况 1484-02, 样式 1
至-272 wb-4
塑料
mrf5s9100nbr1(mbr1)
freescale 半导体, inc., 2005. 所有 权利 保留.
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