HYB5117800BSJ-50_集成电路资料查询网

半导体 组                                      11.96
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2 097 152 words 用 8-位 organization
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0 至 70 °c 运行 温度
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效能::
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单独的 + 5 v (
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10 %) 供应
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低 电源 消耗
最大值 660 起作用的 mw (-50 版本)
最大值 605 起作用的 mw (-60 版本)
最大值 550 起作用的 mw (-70 版本)
11 mw 备用物品(ttl)
5.5. mw 备用物品 (cmos)
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输出 unlatched 在 循环 终止 准许 二-dimensional 碎片 选择
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读, 写, 读-modify-写, cas-在之前-rasrefresh, ras-仅有的 refresh, hidden refresh,
自 refresh 和 测试 模式
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快 页 模式 能力
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所有 输入, 输出 和 clocks fullyttl-compatible
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2048 refresh 循环 / 32 ms
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塑料 包装: p-soj-28-3  400 mil
-50 -60 -70
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RAC
RAS进入 时间 50 60 70 ns
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读/写 循环 时间 90 110 130 ns
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PC
快 页 模式 循环 时间 35 40 45 ns
2m x 8-位 动态 内存
先进的 信息
hyb5117800bsj-50/-60/-70

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半导体组 11.96 • 2 097 152 words 用 8-位 organization • 0 至 70 °c 运行温度 • 效能:: • 单独的 + 5 v ( ± 10 %) 供应 • 低电源消耗最大值 660 起作用的 mw (-50 版本) 最大值 605 起作用的 mw (-60 版本) 最大值 550 起作用的 mw (-70 版本) 11 mw 备用物品(ttl) 5.5. mw 备用物品 (cmos) • 输出 unlatched 在循环终止准许二-dimensional 碎片选择 • 读, 写, 读-modify-写, cas-在之前-rasrefresh, ras-仅有的 refresh, hidden refresh, 自 refresh 和测试模式 • 快页模式能力 • 所有输入, 输出和 clocks fullyttl-compatible • 2048 refresh 循环 / 32 ms • 塑料包装: p-soj-28-3 400 mil -50 -60 -70 t RAC RAS进入时间 50 60 70 ns t CAC CAS进入时间 13 15 20 ns t AA 进入时间从地址 25 30 35 ns t RC 读/写循环时间 90 110 130 ns t PC 快页模式循环时间 35 40 45 ns 2m x 8-位动态内存先进的信息 hyb5117800bsj-50/-60/-70

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