HYB5117800BSJ-50_集成电路资料查询网

半导体 组 9
hyb 5117800bsj-50/-60/-70
2m x 8-dram
快 页 模式 读-modify-写 循环
快 页 模式 读-写 循环
时间
t
PRWC
71 – 80 – 95 – ns
CAS
precharge 至 我们
t
CPWD
48 – 55 – 65 – ns
cas-在之前-rasrefresh 循环
CAS建制 时间
t
CSR
10 – 10 – 10 – ns
CAS
支撑 时间
t
CHR
10 – 10 – 10 – ns
RAS
至 casprecharge 时间
t
RPC
5–5–5–ns
写 至 ras
precharge 时间
t
WRP
10 – 10 – 10 – ns
写 支撑 时间 关联 至 ras
t
WRH
10 – 10 – 10 – ns
cas-在之前-ras计数器 测试 循环
CASprecharge 时间
t
CPT
35 – 40 – 40 – ns
测试 模式
CAS
支撑 时间
t
CHRT
30 – 30 – 30 – ns
写 command 建制 时间
t
WTS
10 – 10 – 10 – ns
写 command 支撑 时间
t
WTH
10 – 10 – 10 – ns
自 refresh 循环
RAS脉冲波 宽度
t
RASS
100k _ 100k _ 100k _ ns 17
RAS
precharge 时间
t
RPS
95 _ 110 _ 130 _ ns 17
CAS
支撑 时间
t
CHS
-50 _ -50 _ -50 _ ns 17
交流 特性
(内容’d)
5)6)
16F
T
一个
= 0 至 70 °c,
V
CC
= 5 v
±
10 %,
t
T
= 5 ns
参数
标识
限制 值
单位 便条
-50 -60 -70
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

半导体组 9 hyb 5117800bsj-50/-60/-70 2m x 8-dram 快页模式读-modify-写循环快页模式读-写循环时间 t PRWC 71 – 80 – 95 – ns CAS precharge 至我们 t CPWD 48 – 55 – 65 – ns cas-在之前-rasrefresh 循环 CAS建制时间 t CSR 10 – 10 – 10 – ns CAS 支撑时间 t CHR 10 – 10 – 10 – ns RAS 至 casprecharge 时间 t RPC 5–5–5–ns 写至 ras precharge 时间 t WRP 10 – 10 – 10 – ns 写支撑时间关联至 ras t WRH 10 – 10 – 10 – ns cas-在之前-ras计数器测试循环 CASprecharge 时间 t CPT 35 – 40 – 40 – ns 测试模式 CAS 支撑时间 t CHRT 30 – 30 – 30 – ns 写 command 建制时间 t WTS 10 – 10 – 10 – ns 写 command 支撑时间 t WTH 10 – 10 – 10 – ns 自 refresh 循环 RAS脉冲波宽度 t RASS 100k _ 100k _ 100k _ ns 17 RAS precharge 时间 t RPS 95 _ 110 _ 130 _ ns 17 CAS 支撑时间 t CHS -50 _ -50 _ -50 _ ns 17 交流特性 (内容’d) 5)6) 16F T 一个 = 0 至 70 °c, V CC = 5 v ± 10 %, t T = 5 ns 参数标识限制值单位便条 -50 -60 -70 最小值最大值最小值最大值最小值最大值

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com