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产品 预告(展)
毫安y 1998 顺序 号码: 290644-001
n
高 效能
54 mhz 有效的 零 wait-状态
效能
同步的 burst-模式 读
异步的 页-模式 读
n
smartvoltage 技术
2.7 v
−
3.6 v 读 和 写
行动 为 低 电源 设计
12 v v
PP
快 工厂 程序编制
n
有伸缩性的 i/o 电压
1.65 v i/o 减少 整体的 系统
电源 消耗量
5 v-safe i/o 使能 接合 至
5 v 设备
n
增强 数据 保护
绝对 写 保护 和
V
PP
= 地
块 locking
块 擦掉/程序 lockout
在 电源 transitions
n
密度 upgrade path
8- 和 16-mbit
n
制造的 在 etox™ v flash
技术
n
支持 代号 加 数据 存储
优化 为 flash 数据 积分器
(fdi) 软件
快 程序 suspend 能力
快 擦掉 suspend 能力
n
有伸缩性的 blocking architecture
第八 4-kword blocks 为 数据
32-kword 主要的 blocks 为 代号
顶 或者 bottom 配置
有
n
扩展 cycling 能力
最小 10,000 块 擦掉 循环
有保证的
n
低 电源 消耗量
自动 电源 savings 模式
减少 电源 消耗量
n
automated 程序 和 块 擦掉
Algorithms
command 用户 接口 为
Automation
状态 寄存器 为 系统
反馈
n
工业-标准 包装
56-含铅的 ssop
µ
bga* csp
intel’s 快 激励 块 记忆 家族 renders 高 效能 异步的 页-模式 和 同步的
burst 读 制造 它 一个 完美的 记忆 解决方案 为 burst cpus. 结合 高 读 效能 和 这
intrinsic 非-volatility 的 flash 记忆, 这个 flash 记忆 家族 排除 这 传统的 redundant 记忆
paradigm 的 shadowing 代号 从 一个 慢 nonvolatile 存储 源 至 一个 faster 执行 记忆 为
改进 系统 效能. 因此, 它 reduces 这 总的 记忆 必要条件 这个 helps 增加
可靠性 和 减少 整体的 系统 电源 消耗量 和 费用.
这个 家族 的 产品 是 制造的 在 intel’s 0.4
µ
m etox™ v 处理 技术. 它们 是 有
在 工业-标准 包装: 这
µ
bga* csp, 完美的 为 板-constrained 产品, 和 这 坚毅的
56-含铅的 ssop.
快 激励 块
flash 记忆 家族
8 和 16 mbit
28f800f3, 28f160f3
包含 扩展 和 automotive 温度 规格
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