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资料编号:378673
 
资料名称:HI350
 
文件大小: 25.11K
   
说明
 
介绍:
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
 
 


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2
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
hi-sincerity
微电子学 corp.
规格. 非. : he9008
issued 日期 : 1996.04.12
修订 日期 : 2002.07.16
页 非. : 1/3
HI350 hsmc 产品 规格
HI350
pnp 外延的 planar 晶体管
描述
这 hi350 是 设计 为 线条 运作 音频的 输出 放大器, 转变
模式 电源 供应 驱动器 和 其它 切换 产品.
绝对 最大 比率
°
c)
最大 温度
存储 temperature............................................................................................-55 ~ +150
°
C
接合面 温度 .................................................................................................... +150
°
C
最大 电源 消耗
总的 电源 消耗 (tc=25
°
c) ..................................................................................... 15 w
最大 电压 和 电流
bvcbo 集电级 至 根基 电压.................................................................................... -300 v
bvceo 集电级 至 发射级 电压................................................................................. -300 v
bvebo 发射级 至 根基 电压........................................................................................... -3 v
ic 集电级 电流....................................................................................................... -500 毫安
特性
°
c)
标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
BVCBO -300 - - V ic=-100ua, ie=0
BVCEO -300 - - V ic=-1ma, ib=0
BVEBO -3 - - V ie=-0.1ma, ic=0
ICBO - - -100 uA vcb=-300v
IEBO - - -100 uA veb=-3v, ic=0
*hFE 30 - 240 vce=-10v, ic=-50ma
*pulse 测试: 脉冲波 width
380us, 职责 循环
2%
至-251
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