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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
NPN 硅 一般 目的
放大器 晶体管
这个npn 硅 外延的 planar transistor 是 设计 为 一般 目的
放大器 产品. 这个 设备 是 housed 在 这 sc-70/sot-323 包装
这个 是 设计 为 低 电源 表面 挂载 产品.
•
高 h
FE
, 210–460
•
低 v
ce(sat)
, < 0.5 v
•
有 在 8 mm, 7-inch/3000 单位 录音带 和 卷轴
最大 比率
(t
一个
= 25
°
c)
比率
标识 值 单位
集电级-根基 电压 V
(br)cbo
60 Vdc
集电级-发射级 电压 V
(br)ceo
50 Vdc
发射级-根基 电压 V
(br)ebo
7.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
100 mAdc
集电级 电流 — 顶峰 I
c(p)
200 mAdc
设备 标记
msd1819a-rt1 = zr
msd1819a-st1 = zs
热的 特性
比率 标识 最大值 单位
电源 消耗
(1)
P
D
150 mW
接合面 温度 T
J
150
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–55 ~ +150
°
C
电的 特性
典型的 标识 最小值 最大值 单位
集电级-发射级 损坏 电压 (i
C
= 2.0 madc, i
B
= 0) V
(br)ceo
50 — Vdc
集电级-根基 损坏 电压 (i
C
= 10
µ
模数转换器, i
E
= 0) V
(br)cbo
60 — Vdc
发射级-根基 损坏 电压 (i
E
= 10
µ
模数转换器, i
E
= 0) V
(br)ebo
7.0 — Vdc
集电级-根基 截止 电流 (v
CB
= 20 vdc, i
E
= 0) I
CBO
— 0.1
µ
一个
集电级-发射级 截止 电流 (v
CE
= 10 vdc, i
B
= 0) I
CEO
— 100
µ
一个
直流 电流 增益
(2)
(v
CE
= 10 vdc, i
C
= 2.0 madc) msd1819a-rt1
msd1819a-st1
(v
CE
= 2.0 vdc, i
C
= 100 madc)
h
FE1
h
FE2
210
290
90
340
460
—
—
集电级-发射级 饱和 电压
(2)
(i
C
= 100 madc, i
B
= 10 madc)
V
ce(sat)
— 0.5 Vdc
1. 设备 挂载 在 一个 fr-4 glass 环氧的 打印 电路 板 使用 这 最小 推荐 footprint.
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, d.c.
≤
2%.
热的clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
顺序 这个 文档
用 msd1819a–rt1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
msd1819a-rt1
msd1819a-st1
npn 一般
目的 放大器
晶体管
表面 挂载
motorola preferred 设备
情况 419–02, 样式 3
sc–70/sot–323
1
2
3
motorola, 公司 1996
集电级
3
1
根基
2
发射级
rev 1
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