M48Z32V-35MT1_集成电路资料查询网

1/16november 2002
M48Z32V
3.3v, 256 kbit (32 kbit x 8) zeropower
®
SRAM
特性 summary
■
整体的, 过激 低 电源 sram,
和 电源-失败 控制 电路
■
读 循环 时间 相等 写 循环
时间
■
自动 电源-失败 碎片 deselect
和 写 保护
■
写 保护 电压:
(v
PFD
= 电源-失败 deselect 电压)
– m48z32v: 2.7v
≤
V
PFD
≤
3.0v
■
过激-低 备用物品 电流
图示 1. 逻辑 图解
图示 2. 44-管脚, hatless soic 包装
表格 1. 信号 names
AI04787
15
a0-a14
W
dq0-dq7
V
CC
M48Z32V
G
V
SS
8
b +
E
a0-a14 地址 输入
dq0-dq7 数据 输入 / 输出
E
碎片 使能 输入
G
输出 使能 输入
W
写 使能 输入
V
CC
供应 电压
V
SS
地面
b + 积极的 电池 管脚
NC 不 连接
44
1
soh44 (mt)

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1/16november 2002 M48Z32V 3.3v, 256 kbit (32 kbit x 8) zeropower ® SRAM 特性 summary ■ 整体的, 过激低电源 sram, 和电源-失败控制电路 ■ 读循环时间相等写循环时间 ■ 自动电源-失败碎片 deselect 和写保护 ■ 写保护电压: (v PFD = 电源-失败 deselect 电压) – m48z32v: 2.7v ≤ V PFD ≤ 3.0v ■ 过激-低备用物品电流图示 1. 逻辑图解图示 2. 44-管脚, hatless soic 包装表格 1. 信号 names AI04787 15 a0-a14 W dq0-dq7 V CC M48Z32V G V SS 8 b + E a0-a14 地址输入 dq0-dq7 数据输入 / 输出 E 碎片使能输入 G 输出使能输入 W 写使能输入 V CC 供应电压 V SS 地面 b + 积极的电池管脚 NC 不连接 44 1 soh44 (mt)

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