特性
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单独的-电压 运作
– 5v 读
– 5v reprogramming
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快 读 进入 时间 – 55 ns
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内部的 程序 控制 和 计时器
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sector architecture
– 一个 16k 字节 激励 块 和 程序编制 lockout
– 二 8k 字节 参数 blocks
– 四 主要的 记忆 blocks (一个 32k 字节, 三 64k 字节)
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快 擦掉 循环 时间 – 4 秒
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字节-用-字节 程序编制 – 20 µs/字节 典型
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硬件 数据 保护
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数据polling 为 终止 的 程序 发现
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低 电源 消耗
– 25 毫安 起作用的 电流
– 100 µa cmos 备用物品 电流
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典型 10,000 写 循环
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绿色 (铅/halide-自由) 包装 选项
1. 描述
这 at49f002a(n)(t) 是 一个 5-volt 仅有的 在-系统 reprogrammable flash 记忆. 它的
2 megabits 的 记忆 是 有组织的 作 262,144 words 用 8 位. 制造的 和
atmel’s 先进的 nonvolatile cmos 技术, 这 设备 提供 进入 时间 至
55 ns 和 电源 消耗 的 just 137 mw 在 这 工业的 温度 范围.
当 这 设备 是 deselected, 这 cmos 备用物品 电流 是 较少 比 100 µa. 为
这 at49f002an(t) 管脚 1 为 这 plcc 包装 和 管脚 9 为 这 tsop 包装 是
非 连接 管脚.
至 准许 为 简单的 在-系统 reprogrammability, 这 at49f002a(n)(t) 做 不
需要 高 输入 电压 为 程序编制. five-volt-仅有的 commands 决定 这
读 和 程序编制 运作 的 这 设备. 读 数据 输出 的 这 设备 是 sim-
ilar 至 读 从 一个 非易失存储器; 它 有 标准 ce
, oe, 和 我们输入 至 避免 总线
contention. reprogramming 这 at49f002a(n)(t) 是 执行 用 erasing 一个 块 的
数据 和 然后 程序编制 在 一个 字节-用-字节 基准. 这 字节 程序编制 时间 是 一个
快 20 µs. 这 终止 的 一个 程序 循环 能 是 optionally 发现 用 这 数据
polling
特性. once 这 终止 的 一个 字节 程序 循环 有 被 发现, 一个 新 进入 为 一个
读 或者 程序 能 begin. 这 典型 号码 的 程序 和 擦掉 循环 是 在
excess 的 10,000 循环.
这 设备 是 erased 用 executing 这 擦掉 command sequence; 这 设备 inter-
nally 控制 这 擦掉 行动. 那里 是 二 8k 字节 参数 块 sections,
四 主要的 记忆 blocks, 和 一个 激励 块.
这 设备 有 这 能力 至 保护 这 数据 在 这 激励 块; 这个 特性 是
使能 用 一个 command sequence. 这 16k-字节 激励 块 部分 包含 一个 repro-
gramming 锁 输出 特性 至 提供 数据 integrity. 这 激励 sector 是 设计 至
包含 用户 secure 代号, 和 当 这 特性 是 使能, 这 激励 sector 是 pro-
tected 从 正在 reprogrammed.
2-megabit
(256k x 8)
5-volt 仅有的
flash 记忆
AT49F002A
AT49F002AN
AT49F002AT
AT49F002ANT
3354f–flash–2/05
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