>┊
首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号: 
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:101799
 
资料名称:MMBT2907ALT1G
 
文件大小: 118.12K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号MMBT2907ALT1G的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号MMBT2907ALT1G的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号MMBT2907ALT1G的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号MMBT2907ALT1G的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号MMBT2907ALT1G的Datasheet PDF文件第6页
6
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组件 行业, llc, 2004
12月, 2004 − rev. 4
1
出版物 订单 号码:
mmbt2907alt1/d
MMBT2907ALT1
概述 目的
Transisters
pnp 硅
特点
pb−free 软件包 是 可用
最大值 额定值
评级 符号 2907A 单位
收集器发射器 电压 v
CEO
−60 Vdc
收集器底座 电压 v
CBO
−60 Vdc
发射器底座 电压 v
EBO
−5.0 Vdc
收集器 电流 − 连续
c
−600 mAdc
最大值 额定值 是 那些 数值 超越 哪个 设备 损伤 可以 发生.
最大值 额定值 已应用 至 这 设备 是 个人 应力 限制 数值 (不
正常 操作 条件) 和 是 不 有效 同时. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 功能 操作 是 不 默示, 损伤 将 发生
和 可靠性 将 是 受影响.
合计 设备 耗散
FR−5 板 (备注 1)
t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
225
1.8
mW
mw/
°
c
热 电阻,
Junction−to−Ambient
ja
556
°
c/w
合计 设备 耗散
氧化铝 基材, (备注 2) t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
300
2.4
mW
mw/
°
c
热 电阻,
Junction−to−Ambient
ja
417
°
c/w
接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
55 至
+150
°
c
1. FR−5 = 1.0
0.75
0.062 入点.
2. 氧化铝 = 0.4
0.3
0.024 入点. 99.5% 氧化铝.
标记
图表
2F = 设备 代码
m = 月份 代码
http://onsemi.com
收集器
3
1
底座
2
发射器
sot−23 (to−236ab)
案例 318
风格 6
1
2
3
2f m
设备 包装 装运
订购 信息
MMBT2907ALT1 SOT−23 3000 单位/卷轴
MMBT2907ALT3G SOT−23
(pb−free)
3000 单位/卷轴
†for 信息 开启 胶带 和 卷轴 规格,
包括 零件 方向 和 胶带 尺码, 请
参考 至 我们的 胶带 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
MMBT2907ALT1G SOT−23
(pb−free)
3000 单位/卷轴
MMBT2907ALT3 SOT−23 3000 单位/卷轴
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com