IRF7422D2
11/27/01
描述
所以-8
备注:
重复性 评级 – 脉冲 宽度 有限 由 最大值 接合点 温度 (请参见 无花果. 11)
我
sd
≤
-2.2a, di/dt
≤
-50a/µs, v
dd
≤
v
(br)dss
, t
j
≤
150°C
脉冲 宽度
≤
300µs – 职责 循环
≤
2%
表面 已安装 开启 右前-4 板, t
≤
10sec.
8
1
2
3
4
5
6
7
d
d
d
dg
s
一个
一个
一个
顶部 查看
一个
v
DSS
= -20v
右
ds(开启)
= 0.09
Ω
肖特基 vf = 0.52v
FETKY
场效应晶体管 &放大器; 肖特基 二极管
tm
这
FETKY
tm
家庭 的 一氧化碳-已打包 hexfets 和
肖特基 二极管 报价 这 设计师 一个 创新
板 空间 正在保存 解决方案 用于 开关 调节器
和 电源 管理 应用程序. 世代 5
hexfets 利用 高级 加工 技术 至
实现 极其 低 导通电阻 按 硅 面积.
combinining 这个 技术 与 国际
整流器's 低 前进 掉落 肖特基 整流器 结果
入点 一个 极其 高效 设备 适合 用于 使用 入点 一个
宽 品种 的 便携式 电子产品 应用程序.
这 所以-8 有 被 已修改 通过 一个 定制
引线框架 用于 增强型 热 特性. 这
所以-8 包装 是 设计 用于 蒸气 相位, 红外线 或
波浪 焊接 技术.
绝对 最大值 额定值
www.irf.com 1
参数 最大值 单位
右
θ
ja
交叉点到环境
➃
62.5
°
c/w
热 电阻 额定值
参数 最大值 单位
我
d
@ t
一个
= 25
°
c -4.3
我
d
@ t
一个
= 70
°
c -3.4
我
dm
脉冲 排水管 电流
➀
-33
p
d
@T
一个
= 25
°
c 2.0
p
d
@T
一个
= 70
°
c 1.3
线性 降额 因素 16 mw/
°
c
v
gs
栅极到源极 电压 ± 12 v
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
➁
-5.0 v/ns
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 +150
°
c
一氧化碳-已打包 hexfet
电源
场效应晶体管 和 肖特基 二极管
理想 用于 降压 调节器 应用程序
p沟道 hexfet
低 v
f
肖特基 整流器
世代 5 技术
所以-8 占地面积
连续 排水管 电流, v
gs
@ -4.5v
电源 耗散
一个
w
pd- 91412l
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