mrf9045lr1 mrf9045lsr1
1
rf 设备 数据
飞思卡尔 半导体
rf 电源 字段 效果 晶体管
n
−
频道 增强功能
−
模式 横向 mosfets
设计用于 宽带 商业 和 工业 应用程序 与 频率-
cies 向上 至 1000 mhz. 这 高 ga入点 和 宽带 业绩 的 这些
设备 制造 他们 理想 用于 大型
−
信号, 普通
−
来源 放大器 应用程序-
区域 入点 28 电压 底座 车站 设备.
•
典型 两个
−
音调 业绩 在 945 mhz, 28 伏特
输出 电源 — 45 瓦特 pep
电源 增益 — 18.8 db
效率 — 42%
imd —
−
32 dbc
•
综合 esd 保护
•
设计 用于 最大值 增益 和 插入 相位 平整度
•
有能力 的 搬运 10:1 vswr, @ 28 vdc, 945 mhz, 45 瓦特 cw
输出 电源
•
优秀 热 稳定性
•
表征 与 系列 等效 大型
−
信号 阻抗 参数
•
入点 胶带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 按 32 mm, 13 英寸 卷轴.
•
低 黄金 电镀 厚度 开启 导联. l 后缀 表示 40
µ″
标称值.
表 1. 最大值 额定值
评级 符号 值 单位
排水管
−
来源 电压 v
DSS
−
0.5, +65 Vdc
闸门
−
来源 电压 v
gs
−
0.5, + 15 Vdc
合计 设备 耗散 @ t
c
= 25
°
c MRF9045LR1
降额 以上 25
°
c
MRF9045LSR1
p
d
125
0.71
175
1
w
w/
°
c
存储 温度 范围 t
stg
−
65 至 +150
°
c
操作 接合点 温度 t
j
200
°
c
表 2. 热 特性
特性 符号 值 单位
热 电阻, 接合点 至 案例 MRF9045LR1
MRF9045LSR1
右
θ
jc
1.4
1.0
°
c/w
表 3. esd 保护 特性
测试一下 条件 类
人类 车身 型号 1 (最小值)
机器 型号 m1 (最小值)
备注
−
注意事项
−
mos 设备 是 易感 至 损伤 从 静电 费用. 合理 注意事项 入点 搬运 和
包装 mos 设备 应该 是 观察到的.
MRF9045
rev. 9, 12/2004
飞思卡尔 半导体
技术类 数据
MRF9045LR1
MRF9045LSR1
945 mhz, 45 w, 28 v
横向 n
−
频道
宽带
rf 电源 mosfets
案例 360b
−
05, 风格 1
ni
−
360
MRF9045LR1
案例 360c
−
05, 风格 1
ni
−
360S
MRF9045LSR1
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飞思卡尔 半导体, 股份有限公司., 2004. 全部 权利 保留.
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