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资料编号:323596
 
资料名称:FDS6699S
 
文件大小: 526.65K
   
说明
 
介绍:
30V N-Channel PowerTrench SyncFET
 
 


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©2005 仙童 半导体 公司
1
www.仙女半.com
January 2005
fds6699s rev. d
fds6699s 30v n通道 powertrench
®
SyncFET™
FDS6699S
30v n通道 powertrench
®
SyncFET™
特点
21 一个, 30 v 最大值 右
ds(开启)
= 3.6 m
@ v
gs
= 10 v
最大值 右
ds(开启)
= 4.5 m
@ v
gs
= 4.5 v
包括 syncfet 肖特基 车身 二极管
高 业绩 海沟 技术 用于 极其 低
ds(开启)
和 快 开关
高 电源 和 电流 搬运 能力
100% 右
g
(闸门 电阻) 已测试
应用程序
同步 rectifier 用于 直流/直流 转换器 –
笔记本 vcore 低 侧面 开关
点 的 荷载 低 侧面 开关
概述 描述
这 fds6699s 是 设计 至 更换 一个 单独 所以-8 场效应晶体管
和 肖特基 二极管 入点 同步 直流:直流 电源 供应品.
这个 30v 场效应晶体管 是 设计 至 最大化 电源 换算
Ef, 提供 一个 低 右
ds(开启)
和 低 闸门 费用. 这
fds6699s 包括 一个 综合 肖特基 二极管 使用 交易会-
儿童’s 单片 syncfet 技术.
绝对 最大值 额定值
t
一个
=25°c 除非 否则 已注明
package? 标记 和 订购 信息
符号 参数 额定值 单位
v
DSS
漏源 电压
30 v
v
GSS
栅极-源极 电压
±
20 v
d
排水管 电流 – 连续 (备注 1a)
21 一个
– 脉冲 105
p
d
power 耗散 用于 单独 操作 (备注 1a)
2.5 w
(备注 1b) 1.2
(备注 1c) 1
t
j
, t
stg
操作 和 存储 接合点 温度 范围
–55 至 +125
°
c
热 特性
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境 (备注 1a)
50
°
c/w
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体 (备注 1) 25
设备 标记 设备 卷轴 尺寸 胶带 宽度 数量
FDS6699S FDS6699S 13’’ 12mm 2500 单位
s
d
s
s
所以-8
d
d
d
g
5
6
7
8
4
3
2
1
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