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资料编号:394221
 
资料名称:SI4501DY
 
文件大小: 58.93K
   
说明
 
介绍:
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4501DY
vishay siliconix
新建 产品
文件号码: 70934
s-61812—rev.b, 19-jul-99
www.vishay.com
2-1
互补场效应晶体管 半桥 (n- 和 p-频道)
产品摘要
v
ds
(v)
ds(开启)
(
)
d
(一个)
n 频道 30
0.018 @ v
gs
= 10 v
9
n通道 30
0.027 @ v
gs
= 4.5 v
7.4
p 频道 8
0.042 @ v
gs
=-4.5 v
6.2
p沟道 -8
0.060 @ v
gs
=-2.5 v
5.2
s
1
d
g
1
d
s
2
d
g
2
d
所以-8
5
6
7
8
顶部 查看
2
3
4
1
s
2
g
2
g
1
s
1
d
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 n通道 p沟道 单位
漏源 电压 v
ds
30 -8
v
栅极-源极 电压 v
gs
20
8
v
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个,
b
t
一个
= 25
c
d
9
6.2
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个,
b
t
一个
= 70
c
d
7.4
5.0
一个
脉冲 排水管 电流
dm
30
20
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个,
b
s
1.7 -1.7
最大值 电源 耗散
一个,
b
t
一个
= 25
c
p
d
2.5
w最大值 电源 耗散
一个,
b
t
一个
= 70
c
p
d
1.6
w
j
, t
stg
-55 至 150
c
电阻额定值
n通道 p- 频道
参数 符号
Typ 最大值 Typ 最大值
单位
mi j ti tAbit
一个
t
10 秒
38 50 40 50
最大值 交叉点到环境
一个
稳态
thja
73 95 73 95
c/w
最大值 接合点-至-脚 稳态
thjc
17 22 20 26
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 fr4 板.
b. t
10 秒
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