January2001
Si4925DY
双p-频道, 逻辑 水平, powertrench
场效应晶体管
概述描述特点
绝对 最大值 额定值
t
一个
= 25
o
c 除非 否则 已注明
符号参数Si4925DY单位
v
DSS
漏源 电压-30v
v
GSS
栅极-源极 电压±20v
我
d
排水管 电流 - 连续
(备注 1a)
-6一个
- 脉冲-20
p
d
电源 耗散用于 双操作2w
电源 耗散用于 单独 操作
(备注 1a)
1.6
(备注 1b)
1
(备注 1c)
0.9
t
j
,t
stg
操作 和 存储 温度 范围-55 至 150°C
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境
(备注 1a)
78°c/w
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体
(备注 1)
40°c/w
Si4925DYrev.一个
-6一个, -30 v. 右
ds(开启)
= 0.032
Ω
@v
gs
= -10v,
右
ds(开启)
= 0.045
Ω
@v
gs
= -4.5 v.
低 闸门 费用 (14.5nc 典型).
高 业绩海沟 技术用于 极其 低
右
ds(开启)
.
高 电源 和 电流 搬运 能力.
sot-23
SuperSOT
tm
-8
soic-16
所以-8sot-223
SuperSOT
tm
-6
这些p-频道 逻辑 水平 mosfets是生产
使用 仙童 半导体's 高级 powertrench
流程 那 有 被 尤其是 量身定制 至 最小化 这
开启状态 电阻 和 然而 维护低 闸门 费用 用于
上级 开关 业绩.
这些 设备 是 井 适合 用于 笔记本 计算机
应用程序:荷载 开关 和 电源 管理,
蓄电池 正在充电 电路,和 直流/直流换算.
1
5
7
8
2
3
4
6
S1
D1
S2
G1
所以-8
D2
D2
D1
G2
pin
1
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