产品 和 规格 discussed 在此处 是 主题 至 改变 用 micron 没有 注意
.
8mb smart 5 激励 块 flash 记忆 micron 技术, 公司 reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
mt28f800b5_3.fm - rev. 3, pub. 8/2002
1
©2002, micron 技术 公司
8Mb
smart 5 激励 块 flash 记忆
flash 记忆
MT28F008B5
MT28F800B5
5v 仅有的, 双 供应 (smart 5)
0.18µm 处理 技术
特性
•eleven 擦掉 blocks:
16kb/8k-文字 激励 块 (保护)
二 8kb/4k-文字 参数 blocks
• 第八 主要的 记忆 blocks
• smart 5 技术 (b5):
5v ±10% v
CC
5v ±10% v
PP
应用/
生产 程序编制
1
• 先进的 0.18µm cmos floating-门 处理
• 兼容 和 0.3µm smart 5 设备
• 地址 进入 时间: 80ns
• 100,000 擦掉 循环
• 工业-标准 pinouts
• automated 写 和 擦掉 algorithm
• 二-循环 写/擦掉 sequence
• tsop 和 sop 包装 选项
• 字节- 或者 文字-宽 读 和 写
(mt28f800b5, 1 meg x 8/512k x 16)
注释: 1.
这个 一代 的 设备 做 不 支持 12v v
PP
兼容性 生产 程序编制; 不管怎样, 5v
V
PP
应用 生产 程序编制 能 是 使用
和 非 丧失 的 效能.
2.
联系 工厂 为 有效性.
部分 号码 例子:
mt28f800b5wg-8 bet
一般 描述
这 mt28f008b5 (x8) 和 mt28f800b5 (x16/x8)
是 nonvolatile, 用电气 块-可擦掉的 (flash),
可编程序的 读-仅有的 memories containing
8,388,608 位 有组织的 作 524,288 words (16 位) 或者
1,048,576 字节 (8 位). writing 或者 erasing 这 设备 是
完毕 和 一个 5v v
PP
电压, 当 所有 行动 是
执行 和 一个 5v v
CC
. 预定的 至 处理 技术
advances, 5v v
PP
是 最优的 为 应用 和 pro-
duction 程序编制. 这些 设备 是 fabricated
和 micron’s 先进的 0.18µm cmos floating-门
处理.
这 mt28f008b5 和 mt28f800b5 是 有组织的
在 eleven separately 可擦掉的 blocks. 至 确保 那
核心的 firmware 是 保护 从 意外的 erasure
或者 overwrite, 这 设备 特性 一个 硬件-保护
激励 块. 这个 块 将 是 使用 至 store 代号
执行 在 低-水平的 系统 恢复. 这
remaining blocks 相异 在 密度 和 是 写 和
erased 和 非 额外的 安全 measures.
请 谈及 至 micron’s 网 站点 (www.micron.com/
flash) 为 这 最新的 数据 薄板.
选项 标记
• 定时
80ns -8
• 配置
1 meg x 8 MT28F008B5
512k x 16/1 meg x 8 MT28F800B5
• 激励 块 开始 文字 地址
至p T
Bottom B
•operating 温度 范围
商业的 (0ºc 至 +70ºc) 毫无
扩展 (-40ºc 至 +85ºc) ET
•Packages
MT28F008B5
塑料 40-管脚 tsop 类型 i
(10mm x 29mm)
VG
MT28F800B5
塑料 48-管脚 tsop 类型 i
(12mm x 20mm)
WG
塑料 44-管脚 sop (600 mil) SG
2
40-管脚 tsop 类型 i
44-管脚 sop
2
48-管脚 tsop 类型 i
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