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日期 已发布 april 2002 cp(k)
已打印 入点 日本
硅 电源 mos 场效应晶体管
NE5500179A
4.8 v 操作 硅 rf 电源 ld-mos 场效应晶体管
用于 1.9 ghz 1 w 变速器 放大器
数据 工作表
nec 公司 1999
nec 化合物 半导体 设备 2002
这 标记
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显示 专业 修订 点数.
描述
这 ne5500179a 是 一个 n通道 硅 电源 mos 场效应晶体管 特别 设计 作为 这 变速器 驾驶员 放大器
用于 4.8 v gsm 1 800 和 gsm 1 900 手持设备. 模具 是 已制造 使用 nec’s newmos 技术 (nec’s
0.6
µ
m wsi 闸门 横向-diffusion mos 场效应晶体管) 和 已安置 入点 一个 表面 安装 包装. 这 设备 可以 交付 30.0
dbm 输出 电源 与 55% 电源 已添加 效率 在 1.9 ghz 下 这 4.8 v 供应 电压, 或 可以 交付 27
dbm 输出 电源 与 50% pozwer 已添加 效率 在 3.5 v, 分别.
特点
• 高 输出 电源 : p
出点
= 30.0 dbm 典型值 (v
ds
= 4.8 v, 我
Dset
= 200 ma, f = 1.9 ghz, p
入点
= 20 dbm)
• 高 电源 已添加 效率 :
η
添加
= 55% 典型值 (v
ds
= 4.8 v, 我
Dset
= 200 ma, f = 1.9 ghz, p
入点
= 20 dbm)
• 高 线性 增益 : g
l
= 14.0 db 典型值 (v
ds
= 4.8 v, 我
Dset
= 200 ma, f = 1.9 ghz, p
入点
= 10 dbm)
• 表面 安装 包装 : 5.7
×
5.7
×
1.1 mm 最大值
• 单独 供应 : v
ds
= 3.0 至 6.0 v
应用程序
• 数字 细胞 电话 : 4.8 v 驾驶员 放大器 用于 gsm 1 800/ gsm 1 900 类 1 手持设备, 或 4.8 v 决赛 舞台
放大器
• 数字 无绳 电话 : 3.5 v 决赛 舞台 放大器 用于 dect
• 其他 : 概述 目的 放大器 用于 1.6 至 2.5 ghz tdma 应用程序
订购 信息
零件 号码 包装 标记 供应 窗体
ne5500179a-t1 79A R1 • 12 mm 宽 压花 录音
• 闸门 管脚 面部 这 perforation 侧面 的 这 胶带
• 数量 1 kpcs/卷轴
Remark
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零件 号码 用于 样品 订单: ne5500179a
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敏感 设备.
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