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资料编号:545615
 
资料名称:PESD5V0S2BT
 
文件大小: 74.17K
   
说明
 
介绍:
Low capacitance bi-directional double ESD protection diode in SOT23 package
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1. 产品 profile
1.1 概述 描述
低 电容 双向 双 esd 保护 二极管 入点 这 小 sot23 塑料
包装 设计 至 保护 2 数据 线条 从 这 损伤 导致 由 电 静态
放电 (esd) 和 其他 瞬变.
1.2 特点
双向 esd 保护 的 2 线条
低 二极管 电容
最大值 峰值 脉冲 电源: p
pp
= 130 w 在 t
p
= 8/20
µ
s
低 夹紧 电压: v
cl(右)
= 14 v 在 我
pp
= 12 一个
超 低 泄漏 电流: 我
rm
= 5 不适用 在 v
RWM
= 5 v
esd 保护 > 30 kv
iec 61000-4-2; 水平 4 (esd)
iec-61000-4-5 (浪涌); 我
pp
= 12 一个 在 t
p
= 8/20
µ
s.
1.3 应用程序
细胞 手持设备 和 附件
便携式 电子产品
计算机 和 外围设备
通信 系统
音频 和 视频 设备.
1.4 快速 参考 数据
PESD5V0S2BT
低 电容 双向 双 esd 保护 二极管
入点 sot23 包装
rev. 02 — 27 将 2004 产品 数据 工作表
表 1: 快速 参考 数据
符号 参数 条件 最小 Typ 最大值 单位
v
RWM
反向 站台-关 电压 - 5 - v
c
d
二极管 电容 f = 1 mhz;
v
=0V
-35-pf
号码 的 保护 线条 - 2 -
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