Si1025X
vishay siliconix
新建 产品
文件 号码: 71433
s-03518—rev. 一个, 23-apr-01
www.vishay.com
1
p沟道 60-v (d-s) 场效应晶体管
v
(br)dss(最小)
(v)
右
ds(开启)
(
)
v
gs(th)
(v) 我
d
(ma)
–60 4 @ v
gs
= –10 v –1 至 –3.0 –500
高侧 开关
低 开启-电阻: 4
Ω
低 阈值: –2 v (典型值)
快 开关 速度: 20 ns (典型值)
低 输入 电容: 23 pf (典型值)
微型 包装
栅极-源极 esd 保护
轻松 入点 驾驶 开关
低 偏移量 电压
低电压 操作
高速 电路
很容易 驱动 无 缓冲区
小 板 面积
驱动程序: 继电器, solenoids, 灯, hammers,
显示器, 回忆, 晶体管, 等
蓄电池 操作 系统
电源 供应 变频器 电路
固态 继电器
标记 代码: d
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3
1
d
2
g
2
s
1
52
4
6
d
1
s
2
g
1
sc-89
参数 符号 5 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
–60
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
t
一个
= 25
c
–200 –190
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 85
c
我
d
–145 –135
脉冲 排水管 电流
b
我
dm
–650
ma
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
–450 –380
t
一个
= 25
c
280 250
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 85
c
p
d
145 130
mW
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
c
栅极-源极 esd 评级 (hbm, 方法 3015) esd 2000 v
备注
一个. 表面 已安装 开启 fr4 板.
b. 脉冲 宽度 有限 由 最大值 接合点 温度.
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