特点
TrenchFET
电源 mosfets
175
c 接合点 温度
应用程序
汽车
- 电机 驱动器
- 12-v 开关
sup40n10-30
vishay siliconix
新建 产品
文件号码: 72135
s-31730—rev.b, 18-8月-03
www.vishay.com
1
n通道 100-v (d-s) 175
c 场效应晶体管
产品摘要
v
(br)dss
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
100
0.030 @ v
gs
= 10 v 40
100
0.034 @ v
gs
= 6 v 37.5
d
g
s
n通道 场效应晶体管
至-220ab
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gds
订购 信息: sup40n10-30
绝对 最大值 额定值 (t
c
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 限制 单位
漏源 电压 v
ds
100
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
连续 排水管 电流
(t
j
= 175
c)
t
c
= 25
c
我
d
40
连续 排水管 电流
(t
j
= 175
c)
t
c
= 125
c
我
d
23
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
75
一个
雪崩 电流 我
ar
35
重复性 一个valanche 能源
一个
l = 0.1 mh e?
ar
61 mJ
最大值 电源 耗散
一个
t
c
= 25
c
p
d
107
b
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
c
p
d
3.75
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
-55 至 175
c
热电阻额定值
参数 符号 限制 单位
JtitAbit
pcb 安装
c
右
40
交叉点到环境
免费 空气
右
thja
62.5
c/w
连接至壳体 (排水管) 右
thjc
1.4
c/w
备注
一个. 职责 循环
1%.
b. 请参见 soa 曲线 用于 电压 降额.
c. 当 已安装 开启 1” 方块字 pcb (右前-4 材料).
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