IRS20124S_集成电路资料查询网

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+/- 1a / 1.2a 典型值
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15/25/35/45ns 典型值
prop 延迟 时间 70ns 典型值
bi-directional 在
电流 感觉到
包装
典型 应用 图解
IRS20124S(pbf)
数据 薄板 非. pd60240 reva
www.irf.com 1
14-含铅的 soic
特性
•
200v 高 电压 比率 deliver 向上 至 1000w
输出 电源 在 类 d 音频的 放大器
产品
•
整体的 dead-时间 一代 和 bi-directional
在 电流 感觉到 使简化 设计
•
可编程序的 补偿 preset dead-时间 为
改进 thd performances 在 温度
•
高 噪音 免除
•
关闭 函数 保护 设备 从 超载
情况
•
运作 向上 至 1mhz
•
3.3v/5v 逻辑 兼容 输入

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<200V HO NC VS OCSET1 OC V CC SD dt/SD COM OCSET2 在 VB LO IRS20124 NC NC <20v <20v 在 OC D IGITAL 一个 UDIO D RIVER 和 D ISCRETE D EAD - 时间和 P ROTECTION 产品 summary V 供应 200v 最大值 I O +/- 1a / 1.2a 典型值可选择的 dead 时间 15/25/35/45ns 典型值 prop 延迟时间 70ns 典型值 bi-directional 在电流感觉到包装典型应用图解 IRS20124S(pbf) 数据薄板非. pd60240 reva www.irf.com 1 14-含铅的 soic 特性 • 200v 高电压比率 deliver 向上至 1000w 输出电源在类 d 音频的放大器产品 • 整体的 dead-时间一代和 bi-directional 在电流感觉到使简化设计 • 可编程序的补偿 preset dead-时间为改进 thd performances 在温度 • 高噪音免除 • 关闭函数保护设备从超载情况 • 运作向上至 1mhz • 3.3v/5v 逻辑兼容输入

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