mrf9045lr1 mrf9045lsr1
1
rf 设备 数据
freescale 半导体
rf 电源 地方 效应 晶体管
N
−
频道 增强
−
模式 lateral mosfets
设计为 broadband 商业的 和 工业的 产品 和 frequen-
cies 向上 至 1000 mhz. 这 高 ga在 和 broadband 效能 的 这些
设备 制造 它们 完美的 为 大
−
信号, 一般
−
源 放大器 applica-
tions 在 28 volt 根基 station 设备.
•
典型 二
−
声调 效能 在 945 mhz, 28 伏特
输出 电源 — 45 watts pep
电源 增益 — 18.8 db
效率 — 42%
imd —
−
32 dbc
•
整体的 静电释放 保护
•
设计 为 最大 增益 和 嵌入 阶段 flatness
•
有能力 的 处理 10:1 vswr, @ 28 vdc, 945 mhz, 45 watts cw
输出 电源
•
极好的 热的 稳固
•
典型 和 序列 相等的 大
−
信号 阻抗 参数
•
在 录音带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 每 32 mm, 13 inch 卷轴.
•
低 金 镀层 厚度 在 leads. l 后缀 indicates 40
µ″
名义上的.
表格 1. 最大 比率
比率 标识 值 单位
流
−
源 电压 V
DSS
−
0.5, +65 Vdc
门
−
源 电压 V
GS
−
0.5, + 15 Vdc
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C MRF9045LR1
减额 在之上 25
°
C
MRF9045LSR1
P
D
125
0.71
175
1
W
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
−
65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
表格 2. 热的 特性
典型的 标识 值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 MRF9045LR1
MRF9045LSR1
R
θ
JC
1.4
1.0
°
c/w
表格 3. 静电释放 保护 特性
测试 情况 类
人 身体 模型 1 (最小)
机器 模型 m1 (最小)
便条
−
提醒
−
mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
MRF9045
rev. 9, 12/2004
freescale 半导体
技术的 数据
MRF9045LR1
MRF9045LSR1
945 mhz, 45 w, 28 v
lateral n
−
频道
BROADBAND
rf 电源 mosfets
情况 360b
−
05, 样式 1
NI
−
360
MRF9045LR1
情况 360c
−
05, 样式 1
NI
−
360S
MRF9045LSR1
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