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资料编号:162448
资料名称:
BC307C
文件大小: 110.68K
说明
:
介绍
:
Amplifier Transistors(PNP)
: 点此下载
1
2
3
4
5
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
©2002 仙童 半导体 公司
rev. a2, 8月 2002
bc307/308/309
pnp 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
标识
参数
值
单位
V
CES
集电级-发射级 电压
: bc307
: bc308/309
-50
-30
V
V
V
CEO
集电级-发射级 电压
: bc307
: bc308/309
-45
-25
V
V
V
EBO
发射级-根基 电压
-5
V
I
C
集电级 电流 (直流)
-100
毫安
P
C
集电级 电源 消耗
500
mW
T
J
接合面 温度
150
°
C
T
STG
存储 温度
-55 ~ 150
°
C
bc307/308/309
切换 和 放大器 产品
•
低 噪音: bc309
1. 集电级 2. 根基 3. 发射级
至-92
1
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